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GaN계 반도체층이 적층 형성된 웨이퍼를 배치하는 제1 단계;상기 웨이퍼의 상면에 배치되어 상기 웨이퍼의 상면에 격자모양으로 배치되는 개별소자영역을 형성하는 격자라인을 가지는 마스크를 배치하는 제2 단계;상기 개별소자영역을 구획하는 상기 격자라인에 대응하는 상기 GaN계 반도체층 측면의 면방향 정보를 측정하는 제3 단계; 및상기 제3 단계에서 측정된 상기 면방향 정보가 M(10-10)면이 되도록, 상기 웨이퍼 및 상기 마스크 중 어느 일방을 타방과 마주한 상태로 보상이동시켜 정렬하는 제4 단계;를 포함하는 LD 제작용 마스크 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서, 상기 면방향 정보는, 상기 격자라인을 따라 상기 GaN계 반도체층을 절개한 경우, 생성되는 상기 개별소자영역의 측면 면방향 정보인 것을 특징으로 하는 LD 제작용 마스크 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서, 상기 GaN계 반도체층 측면의 면방향 정보는 고니오미터(goniometer)에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 LD 제작용 마스크 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 개별소자영역은, 하나의 GaN계 반도체 레이저 다이오드(Laser Diode)를 형성하는 영역인 것을 특징으로 하는 LD 제작용 마스크 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서, 상기 GaN계 반도체층 측면은, 상기 격자라인을 스크라이빙 라인으로 하여 절개하였을 때 형성되는 상기 개별소자영역의 측면인 것을 특징으로 하는 LD 제작용 마스크 정렬 방법
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