| 1 |
1
기판 상에 제1 포토레지스트를 도포하는 과정;기 설정된 패턴을 갖는 포토마스크를 상기 제1 포토레지스트 위에 위치시키는 과정;상기 제1 포토레지스트에 빛을 조사하여 상기 제1 포토레지스트를 제2 포토레지스트로 변환시키는 과정; 열을 가하여 상기 제2 포토 레지스트를 반고체 상태로 경화시키는 과정;상기 기 설정된 패턴을 갖는 포토마스크에 소정의 압력을 가하여, 상기 제2 포토레지스트를 기 설정된 각도만큼 시프트(Shift)하는 과정; 및열을 가하여, 상기 제2 포토 레지스트를 고체 상태로 경화시키는 과정을 포함하며,상기 제1 포토 레지스트는 열을 가하여도 액체 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 포토레지스트는,빛에 의해 상기 제2 포토레지스트로 변환되는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제2 포토레지스트를 기 설정된 각도만큼 시프트하는 과정은,상기 기 설정된 패턴을 갖는 포토마스크를 나노미터(㎚) 단위로 밀어내는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,노광이 되지 않은 제1 포토레지스트를 제거하는 제거과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 제거과정은,상기 노광이 되지 않은 제1 포토레지스트를 에칭(Etching)하여 제거하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 제거과정은,상기 제2 포토레지스트를 뜯어내어 제1 포토레지스트를 물리적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조방법
|
| 7 |
7
기판 상에 제1 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포모듈;기 설정된 패턴을 갖는 포토마스크를 상기 제1 포토레지스트 위에 위치시키고, 상기 제1 포토레지스트를 노광하여, 상기 제1 포토레지스트를 제2 포토레지스트를 변환시키는 노광모듈;열을 가하여 상기 제2 포토 레지스트를 반고체 상태로 경화시키는 제1 열처리모듈; 상기 기 설정된 패턴을 갖는 포토마스크에 소정의 압력을 가하여 제2 포토레지스트를 기 설정된 각도만큼 시프트(Shift)하는 시프트모듈; 및열을 가하여 상기 제2 포토 레지스트를 고체 상태로 경화시키는 제2 열처리모듈을 포함하며,상기 제1 포토 레지스트는 열을 가하여도 액체 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조장치
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 노광모듈은,상기 제1 포토레지스트에 빛을 조사하여 상기 제1 포토레지스트의 일부를 상기 제2 포토레지스트로 변환시키는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조장치
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 노광모듈은,자외선(UV), X선 또는 레이저 중 적어도 하나의 광원을 사용하여 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조장치
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 시프트모듈은,상기 기 설정된 패턴을 갖는 포토마스크를 수 나노미터(㎚) 단위로 밀어내는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조장치
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,노광이 되지 않은 상기 제1 포토레지스트를 제거하는 제거모듈을 더 포함하는 회절광학소자 제조장치
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 제거모듈은,상기 제1 포토레지스트를 에칭(Etching)하여 제거하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조장치
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 제거모듈은,상기 제2 포토레지스트를 뜯어내어 상기 제1 포토레지스트를 물리적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조장치
|
| 14 |
14
제7항에 있어서,상기 포토레지스트 도포모듈, 상기 노광모듈 및 상기 시프트모듈을 제어하는 제어모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회절광학소자 제조장치
|
| 15 |
15
삭제
|
