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투명전극 상에 전자수송층을 형성시키는 단계;전자수송층이 형성된 투명전극을 기판 상에 위치시키고, C3 내지 C6의 알킬아민과 제1극성용매를 포함하는 제1용매 및 할로겐 리간드로 캐핑된 양자점을 포함하는 n형 양자점 잉크를 닥터 블레이드를 이용하여 상기 전자수송층 상에 처리한 후 열처리하여 n형 양자점 층을 형성시키는 단계;상기 n형 양자점 층 상에 C3 내지 C6의 알킬아민과 제2극성용매를 포함하는 제2용매 및 티올기를 갖는 C1 내지 C3의 카복실산으로 캐핑된 양자점을 포함하는 p형 양자점 잉크를 닥터 블레이드를 이용하여 처리한 후 열처리하여 p형 양자점 층을 형성시키는 단계; 및상기 p형 양자점 층 상에 상대전극을 형성시키는 단계;를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1용매에 포함되는 C3 내지 C6의 알킬아민은 제1용매의 부피를 기준으로 1~55부피%로 포함되는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1극성용매는 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 디메틸설폭사이드(dimethyl sufoxide), 물, 에탄올 및 메탄올 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 양자점 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 n형 양자점 잉크는 하기 접촉각 측정방법으로 측정된 접촉각이 4~22°인 양자점 태양전지의 제조 방법:*접촉각 측정방법대기분위기, 25℃에서 30 ㎕의 n형 양자점 잉크를 산화아연층 상에 투입한 후 접촉각을 측정한다
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제1항에 있어서,상기 제2용매에 포함되는 C3 내지 C6의 알킬아민은 상기 제2용매의 부피를 기준으로 4~96부피%로 포함되는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 티올기를 갖는 C1 내지 C3의 카복실산으로 캐핑된 양자점은 상기 제2용매의 부피를 기준으로 10~90 mg/ml의 농도로 포함되는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2극성용매는 디메틸포름아마이드를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 n형 양자점 층을 형성시키는 단계에서 상기 닥터 블레이드와 투명 전극 사이의 거리는 0
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제1항에 있어서,상기 n형 양자점 층을 형성시키는 단계에서 열처리는 100~115℃에서 30초~5분 동안 수행되는 양자점 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 p형 양자점 층을 형성시키는 단계에서 상기 닥터 블레이드와 투명 전극 사이의 거리는 0
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제1항에 있어서,상기 p형 양자점 층을 형성시키는 단계에서 기판의 온도는 20~35℃인 양자점 태양전지의 제조 방법
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투명전극, 전자수송층, 할로겐 리간드로 캐핑된 양자점을 포함하는 n형 양자점 층, 티올기를 갖는 C1 내지 C3의 카복실산으로 캐핑된 양자점을 포함하는 p형 양자점 층 및 상대전극이 적층되어 형성된 양자점 태양전지
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