| 1 |
1
메모리셀을 포함하는 마그네틱램으로서, 상기 메모리셀은,외부로부터 인가되는 전압을 받기 위한 제1전극단자가 마련된 금속층;상기 금속층의 하측에 배치되며 금속자성체를 포함하는 고정자성서브층과, 상기 고정자성서브층의 하측에 마련되고 금속자성체를 포함하는 자유자성서브층과, 상기 고정자성서브층 및 상기 자유자성서브층 사이에 위치하여 상기 고정자성서브층과 상기 자유자성서브층 사이를 절연시켜주는 절연서브층을 포함하는 자기터널접합층; 금속비자성체를 포함하여 이루어지고, 상기 자기터널접합층의 하측에 배치되고, 외부로부터 인가되는 전압을 받기 위한 제2전극단자가 마련되어 있으며, 상기 자기터널접합층 측으로 스핀전류를 전달하는 스핀전류전달층;상기 스핀전류전달층의 하측에 배치되고, 상기 스핀전류전달층을 통하여 상기 자기터널접합층 측으로 전달될 스핀전류가 발생되는 스핀전류발생층; 및 상기 스핀전류발생층의 하측에 배치되는 베이스절연층과, 상기 베이스절연층의 하측에 배치되고, 외부로부터 인가되는 전압을 받기 위한 제3전극단자가 마련되어 있으며, 금속비자성체를 포함하는 금속비자성베이스층을 포함하며, 상기 스핀전류발생층에서 상기 스핀전류가 발생될 수 있도록 열전자를 상기 스핀전류발생층 측으로 주입시켜주는 열전자주입층; 을 포함하고, 상기 스핀전류에 의하여 발생되는 스핀전달토크로 인하여 상기 자유자성서브층에서의 자화방향이 변경될 수 있는 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 금속층은 금속비자성체를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 고정자성서브층은, FCT결정구조(face centered tetragonal crystal structure)의 FePt, FCT결정구조의 FePd, FCT결정구조의 CoPt, 다층박막구조의 , 다층박막구조의 , 다층박막구조의 , 적층구조의 CoFeB/Ta, 적층구조의 CoFeB/W 및 적층구조의 CoFeB/Hf 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 자유자성서브층은, FCT결정구조(face centered tetragonal crystal structure)의 FePt, FCT결정구조의 FePd, FCT결정구조의 CoPt, 다층박막구조의 Co/Pt, 다층박막구조의 Co/Pd, 다층박막구조의 Co/Ni, 적층구조의 CoFeB/Ta, 적층구조의 CoFeB/W 및 적층구조의 CoFeB/Hf 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 스핀전류발생층은, 금속자성체를 포함하여 이루어진 금속자성층인 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 고정자성서브층의 자화방향은 상기 스핀전류발생층의 자화방향에 대하여 수직인 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 스핀전류발생층은 Co, Fe, Ni, CoFe합금, NiFe합금, CoFeAl합금, CoAl합금 및 CoFeB 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 스핀전류발생층에서 발생되는 스핀전류는 상기 제3전극단자 및 상기 제2전극단자 사이에 인가되는 전압에 의하여 발생되는 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서,제 1항에 있어서,상기 스핀전류발생층에서 발생되는 스핀전류는 상기 제3전극단자 및 상기 제1전극단자 사이에 인가되는 전압에 의하여 발생되는 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 12 |
12
제 1항에 있어서, 전압이 상기 제1전극단자 및 상기 제2전극단자 사이에 인가되어 상기 제1전극단자 측으로부터 상기 제2전극단자 측으로 흐르게 되는 전류로 인한 전류적 스핀전달토크가, 상기 스핀전류에 의한 스핀전달토크로 인해 자화방향이 변경된 자유자성서브층에 가해져서 상기 자유자성서브층의 자화방향이 다운방향이 되는 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서, 전압이 상기 제1전극단자 및 상기 제2전극단자 사이에 인가되어 상기 제2전극단자 측으로부터 상기 제1전극단자 측으로 흐르게 되는 전류로 인한 전류적 스핀전달토크가, 상기 스핀전류에 의한 스핀전달토크로 인해 자화방향이 변경된 자유자성서브층에 가해져서 상기 자유자성서브층의 자화방향이 업(up)방향이 되는 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 14 |
14
제 1항에 있어서, 상기 메모리셀은제1전극단자, 제2전극단자 및 제3전극단자 사이에 배치되어 상기 제1전극단자, 제2전극단자 및 제3전극단자가 상호간에 직접적으로 통전되지 않도록 절연시켜주는 전극절연층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 스핀전류발생층의 자화 방향은 박막의 평면에 수평인 방향이고, 상기 고정자성서브층의 자화 방향은 박막의 평면에 수직인 방향인 것을 특징으로 하는 마그네틱램
|
