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캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상의 에미터;상기 에미터에서 방출된 전자빔을 집속하는 게이트 전극관;상기 게이트 전극관에서 집속된 전자빔을 집속하는 집속 전극; 및상기 집속 전극에서 집속된 전자빔이 조사되는 하면을 포함하는 아노드 전극을 포함하고,아래의 조건식을 만족하는 전계 방출 엑스선원:[조건식] W2/L2 003c# W1/L1 003c# 2*W2/L2상기 조건식에서, L1은 상기 아노드 전극의 하면의 중심점에서 상기 집속전극의 상면까지의 수직거리이고, L2는 상기 아노드 전극의 하면의 중심점에서 상기 게이트 전극관의 상면까지의 수직거리이고, W1은 상기 집속 전극의 개구의 최대폭이고, W2는 상기 게이트 전극관의 개구의 최대폭이다
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제1 항에 있어서,메쉬 개구를 포함하는 게이트 전극 메쉬를 더 포함하고,상기 게이트 전극 메쉬는 상기 게이트 전극관과 서로 전기적으로 연결되는 전계 방출 엑스선원
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제1 항에 있어서,상기 집속 전극의 개구의 최대폭은 상기 게이트 전극관의 개구의 최대폭보다 작은 전계 방출 엑스선원
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제1 항에 있어서,상기 집속 전극의 개구는 바(bar)형인 전계 방출 엑스선원
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캐소드 전극 상의 에미터에서 전자빔을 방출하는 전자빔 방출 단계;상기 에미터에서 방출된 전자빔을 게이트 전극관을 이용하여 집속하는 제1 집속 단계;상기 게이트 전극관에 의해 집속된 전자빔을 집속 전극을 이용하여 집속하는 제2 집속 단계; 및상기 집속 전극에서 집속된 전자빔을 아노드 전극의 하면에 조사하는 조사 단계를 포함하고,아래의 조건식을 만족하는 엑스선원의 구동 방법:[조건식] W2/L2 003c# W1/L1 003c# 2*W2/L2상기 조건식에서, L1은 상기 아노드 전극의 하면의 중심점에서 상기 집속전극의 상면까지의 수직거리이고, L2는 상기 아노드 전극의 하면의 중심점에서 상기 게이트 전극관의 상면까지의 수직거리이고, W1은 상기 집속 전극의 개구의 최대폭이고, W2는 상기 게이트 전극관의 개구의 최대폭이다
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제5 항에 있어서,상기 전자빔 방출 단계는,게이트 전극 메쉬에 전압을 인가하는 것, 및 상기 에미터에서 방출된 전자빔이 상기 게이트 전극 메쉬를 통과하는 것을 포함하는 전계 방출 엑스선원의 구동 방법
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제6 항에 있어서,상기 게이트 전극 메쉬는 상기 게이트 전극관과 서로 전기적으로 연결되는 전계 방출 엑스선원의 구동 방법
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제5 항에 있어서,상기 제2 집속 단계는,상기 집속 전극에 인가되는 전압을 조절하는 것을 포함하는 전계 방출 엑스선원의 구동 방법
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제8 항에 있어서,상기 제2 집속 단계는,상기 게이트 전극관에 인가되는 전압이 높아지면 상기 집속 전극에 인가되는 전압을 낮추는 것을 포함하는 전계 방출 엑스선원의 구동 방법
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제8 항에 있어서,상기 제2 집속 단계는,상기 아노드 전극에 인가되는 전압이 높아지면 상기 집속 전극에 인가되는 전압을 높이는 것을 포함하는 전계 방출 엑스선원의 구동 방법
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제5 항에 있어서,상기 집속 전극의 개구의 최대폭은 상기 게이트 전극관의 개구의 최대폭보다 작은 전계 방출 엑스선원
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