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기판의 온도를 조절하면서 상기 기판 상에 전이금속 박막을 물리기상증착법을 이용하여 형성하는 단계; 및상기 전이금속 박막 상에 칼코게나이드 소스를 제공하여 화학기상증착법을 이용하여 전이금속 디칼코게나이드를 제조하는 단계를 포함하는, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 박막을 형성하는 단계에서 상기 기판의 온도는 300℃ 내지 1200℃으로 조절되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 박막을 형성하는 단계에서 상기 기판의 온도를 조절함으로써 상기 전이금속 원자의 확산 거리를 조절하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 박막은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 레늄(Re), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속을 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드 소스는 황(S), 텔루륨(Te), 셀레늄(Se), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드 소스는 파우더 또는 기체 상태인 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, ReS2, ReSe2, ReTe2, TaS2, TaSe2, TaTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 물리기상증착법은 스퍼터링 방법, 전자빔 증착 방법, 열증착 방법, 이온 클러스터 빔, 펄스 레이저 증착 방법 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 박막은 0
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드를 제조하는 단계는 500℃ 내지 1000℃의 온도 하에서 수행되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 박막을 형성하는 단계는 5 mTorr 내지 15 mTorr 의 압력 하에서 수행되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드를 제조하는 단계는 300 mTorr 내지 700 mTorr 의 압력 하에서 수행되는 것인, 전이금속 디칼코게나이드의 제조 방법
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