| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
기판과;상기 기판 상에 제공되고, 피검 가스에 감응하는 가스 검출용 복합체를 포함하는 감응층과;상기 감응층 상에 적층되어 배치되는 터븀(Tb)층을 포함하되,상기 가스 검출용 복합체는 산화물 반도체로 제공되는 나노 구조체를 포함하는 가스 검출용 가스 센서
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 터븀(Tb)층의 두께는 50nm 이상 250 nm 이하로 제공되는 가스 검출용 가스 센서
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 가스 검출용 복합체는, 상기 나노구조체에 담지된 터븀(Tb) 첨가제를 더 포함하는 가스 검출용 가스 센서
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 산화물 반도체는 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 및 산화인듐(In2O3)로 이루어진 군으로부터 선택된 가스 검출용 가스 센서
|
| 10 |
10
제 6 항에 있어서,상기 나노 구조체는 중공 구조 또는 난황 구조로 제공되는 가스 검출용 가스 센서
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
피검 가스에 감응하는 가스 검출용 복합체 및 바인더를 포함하는 용액을 제조하는 복합체 용액 제조 단계와;상기 용액을 기판 상에 코팅, 건조 및 열처리하여 감응층을 형성하는 감응층 형성 단계와;상기 감응층 상에 터븀(Tb)층을 증착시키는 터븀층 증착 단계를 포함하고,상기 코팅은 드롭코팅 공정 또는 스크링 인쇄 공정에 의해 수행되고,상기 터븀층 증착 단계에서는 전자빔 증착, 스퍼터링 또는 원자층 증착을 통해 상기 감응층 상에 상기 터븀층이 형성되는 가스 센서의 제조 방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제 14 항에 있어서,상기 터븀층 증착 단계 이후, 상기 터븀층이 증착된 기판을 100 ℃ 이상 600 ℃이하의 온도에서 열처리하는 열처리 단계를 더 포함하는 가스 센서의 제조 방법
|
