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제1금속에 적어도 하나의 홀을 형성하는 단계;상기 홀에 제2금속이 구비되는 단계; 및상기 제1금속의 표면의 적어도 일부에 상기 제2금속이 구비되는 단계;를 포함하고,상기 제1금속은 Sn 또는 In 이거나 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Bi, Sn-In 또는 Sn-Ag-Cu 의 화합물 중 어느 하나로 형성되고,상기 제2금속은 Cu, Ni, Au 또는 Ag 중 어느 하나로 형성되는 접합용 프리폼 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 홀은 상기 제1금속과 동심원을 이루며 상기 제2금속 및 상기 제1금속이 번갈아 형성되는 접합용 프리폼 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 홀은 상기 홀에서 상기 제1금속 방향으로의 단면이 조가비 형으로 구비되는 접합용 프리폼 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1금속의 표면의 적어도 일부에 상기 제2금속이 구비되는 단계는 상기 제1금속의 표면에 구비되는 상기 제2금속이 상기 제1금속의 표면에 상호 대향하는 위치에 구비되는 접합용 프리폼 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1금속 및 상기 홀은 단면이 사각형으로 구비되고 상기 제1금속 및 제2금속간의 거리를 근접시켜 밀착력을 증가시키기 위하여 상기 제1금속의 표면에 구비되는 상기 제2금속을 압연하는 단계를 더 포함하는 접합용 프리폼 제조방법
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제1금속을 이용하여 제2금속의 표면의 적어도 일부를 도금하는 단계;상기 제1금속이 도금된 상기 제2금속을 압연하는 단계; 및상기 제1금속 및 상기 제2금속을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 제1금속은 Sn 또는 In 이거나 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Bi, Sn-In 또는 Sn-Ag-Cu 의 화합물 중 어느 하나로 형성되고,상기 제2금속은 Cu, Ni, Au 또는 Ag 중 어느 하나로 형성되는 접합용 프리폼 제조방법
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제1금속에 적어도 하나의 홀을 형성하는 단계;상기 홀에 제2금속이 구비되는 단계;상기 제1금속의 표면의 적어도 일부에 상기 제2금속이 구비되는 단계;상기 제1금속 및 상기 제2금속을 열처리하는 단계; 및열처리 된 상기 제1금속 및 상기 제2금속을 본딩하는 단계;를 포함하고,상기 제1금속은 Sn 또는 In 이거나 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Bi, Sn-In 또는 Sn-Ag-Cu 의 화합물 중 어느 하나로 형성되고,상기 제2금속은 Cu, Ni, Au 또는 Ag 중 어느 하나로 형성되는 반도체 칩 접합방법
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제 7항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 상기 제1금속 및 상기 홀에 구비되는 상기 제2금속을 열처리하는 반도체 칩 접합방법
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