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그래핀 산화물 나노리본으로부터 환원된 그래핀 나노리본을 포함하고,상기 그래핀 산화물 나노리본 및 상기 그래핀 나노리본은 표면영역의 산화영역 비율이 1:0
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 개방형 기공을 갖는 그래핀 나노리본 수화젤
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본은 종횡비가 5이상인 그래핀 나노리본 수화젤
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삭제
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 형상제어가 가능한 그래핀 나노리본 수화젤
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 총 중량에 대하여 수분함유율이 50 내지 99중량%인 그래핀 나노리본 수화젤
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 양성자화 정도에 따른 하기 식 2를 만족하는 비표면적을 갖는 것인 그래핀 나노리본 수화젤
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 금속나노입자, 금속산화물 나노입자, 귀금속나노입자, 탄소나노입자, 고분자나노입자, 유무기 하이브리드 나노입자 및 이들의 산화물에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합 나노입자를 더 포함하는 그래핀 나노리본 수화젤
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 13족원소 또는 15족원소가 도핑된 그래핀 나노리본 수화젤
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제9항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 탄소함량에 대하여, 도핑률이 6중량%이상인 그래핀 나노리본 수화젤
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제1항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 이온투과도가 1
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a) 탄소나노튜브로부터 제조된 그래핀 산화물 나노리본을 포함하는 그래핀 산화물 나노리본 분산액을 준비하는 단계; 및b) 상기 그래핀 산화물 나노리본 분산액에 금속 주형을 침지시켜, 상기 금속 주형 표면에 그래핀 나노리본이 적층된 그래핀 나노리본 수화젤을 형성시키는 단계;를 포함하는 그래핀 나노리본 수화젤의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 b)단계에서 상기 금속 주형 표면에서 상기 그래핀 산화물 나노리본이 환원되면서 그래핀 나노리본이 적층된 형태로 상기 금속 주형 표면에 침적되는 그래핀 나노리본 수화젤의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 a)단계에서 그래핀 산화물 나노리본 분산액은 총 중량에 대하여, 그래핀 산화물 나노리본을 0
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제12항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤을 13족원소 또는 15족원소를 포함하는 화합물과 혼합하는 단계를 더 포함하는 그래핀 나노리본 수화젤의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 그래핀 나노리본 수화젤은 금속나노입자, 금속산화물 나노입자, 귀금속나노입자, 탄소나노입자, 고분자나노입자, 유무기 하이브리드 나노입자 및 이들의 산화물에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합 나노입자를 더 혼합하는 단계를 더 포함하는 그래핀 나노리본 수화젤의 제조방법
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제 1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제11항에서 선택되는 어느 한 항의 그래핀 나노리본 수화젤을 포함하는 전기화학소자
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제 17항에 있어서,상기 전기화학소자는 센서, 에너지 저장 장치, 여과막 및 전기촉매재료에서 선택되는 어느 하나인 전기화학소자
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제 17항에 있어서,상기 전기화학소자의 최대 출력 밀도는 100 내지 400kW/kg 인 전기화학소자
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