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실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019022003
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 낮은 턴-온 전압을 가질 뿐만 아니라 역방향 특성을 향상시킬 수 있는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 실리콘카바이드 기판의 상부에 에피택시얼층, 폴리실리콘, 산화막 및 포토레지스트를 차례대로 적층하여 형성되는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드에 있어서, 실리콘카바이드 기판; 에피택시얼층의 바닥 영역을 식각하여 형성되는 에피택시얼패턴; 에피택시얼패턴의 상부에 형성되는 폴리실리콘패턴; 폴리실리콘패턴을 포함하는 에피택시얼층 전 영역의 표면에 형성되는 금속층; 실리콘카바이드 기판의 하부에 형성되는 전극을 포함하는 것으로, 에피택시얼패턴 및 폴리실리콘패턴의 측벽이 셀프 얼라인(self-align)되어 트렌치가 형성되되, 에피택시얼패턴의 깊이(Trench depth) 대비 에피택시얼패턴의 폭(Mesa width)은 0.5~3:0.5~5의 길이 비율로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/47 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/3205 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01)
출원번호/일자 1020180059206 (2018.05.24)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0134048 (2019.12.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석오균 부산광역시 강서구
2 강인호 경상남도 진주시 강남로 **,
3 김상철 경상남도 창원시 성산구
4 김형우 경상남도 창원시 성산구
5 나문경 경상남도 창원시 성산구
6 문정현 경상남도 김해시 율하*로 **, *
7 방욱 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0511341-20
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0005177-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0017996-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0152540-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0278910-03
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0278914-85
8 등록결정서
Decision to grant		 2020.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0225870-80
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번호 청구항
1 1
실리콘카바이드 기판의 상부에 에피택시얼층, 폴리실리콘, 산화막 및 포토레지스트를 차례대로 형성하는 제1단계;상기 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트패턴으로 상기 산화막을 식각하여 산화막패턴을 형성하는 제2단계;상기 포토레지스트패턴 또는 상기 산화막패턴으로 상기 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성하는 제3단계; 및상기 산화막패턴으로 상기 에피택시얼층 바닥 영역을 소정의 깊이로 식각하여 에피택시얼패턴을 형성한 후 상기 산화막패턴을 제거함으로써, 상기 에피택시얼패턴 및 상기 폴리실리콘패턴의 측벽이 셀프 얼라인(self-align)된 트렌치가 형성되는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 에피택시얼패턴의 깊이(Trench depth) 대비 상기 에피택시얼패턴의 폭(Mesa width)은 0
3 3
제1항에 있어서,상기 제3단계에서는,상기 포토레지스트패턴으로 상기 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제3단계에서는,상기 포토레지스트패턴을 제거한 후, 상기 산화막패턴으로 상기 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제4단계에서는,상기 실리콘카바이드 기판의 하부에 전극을 배치하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4단계의 다음에는,상기 폴리실리콘패턴을 포함하는 상기 에피택시얼층 전 영역의 표면에 금속을 증착시키는 제5단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
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1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 한국전기연구원연구운영비지원 고전압, 고전류밀도 SiC기반 차세대 전력소자 개발