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고체 전해질, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전고체 전지

  • 기술번호 : KST2019022325
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 하기 화학식 (1)로 표현되는 옥시 설파이드(oxysulfide)계 화합물을 포함하여 우수한 수분 안정성을 가지는 고체 전해질, 그 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조 공정성이 우수한 전고체 전지를 제공한다. LiaPbMcSdOeX (1) 상기 화학식 (1)에서, M은 Zr, Nb, Hf, Ta, Ga, In, Ti, Pb, Bi, Ge, As, Sb, Si, B, 및 Al로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이고, X는 F, Cl, Br, 및 I로 이루어진 군에서 선택되는 하나이며, 6003c#a≤7, 0003c#b003c#1, 0003c#c003c#1, 4003c#d003c#5, 및 0003c#e003c#1이다.
Int. CL H01M 10/0562 (2010.01.01) H01B 1/06 (2006.01.01)
CPC H01M 10/0562(2013.01) H01M 10/0562(2013.01) H01M 10/0562(2013.01)
출원번호/일자 1020170161731 (2017.11.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1952196-0000 (2019.02.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경수 경기도 용인시 수지구
2 조우석 경기도 성남시 분당구
3 정구진 경기도 성남시 분당구
4 유지상 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1191734-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0010486-22
4 등록결정서
Decision to grant
2019.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0105044-99
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0435522-85
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 (1)로 표현되는 옥시 설파이드(oxysulfide)계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질: LiaPbMcSdOeX (1) 상기 화학식 (1)에서, M은 Zr, Nb, Hf, Ta, Ga, In, Ti, Pb, Bi, Ge, As, Sb, Si, B, 및 Al로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이고; X는 F, Cl, Br, 및 I로 이루어진 군에서 선택되는 하나이며; 6003c#a≤7, 0003c#b003c#1, 0003c#c003c#1, 4003c#d003c#5, 및 0003c#e003c#1이다
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 M은 Si, Al, B 및 Ge로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 M은 Si인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 X는 Cl 또는 Br인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 a, b, c, d, 및 e는 각각 6003c#a≤6
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 a, b, c, d, 및 e는 각각 6003c#a≤6
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 b 및 c는 b+c=1인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 d 및 e는 d+e=1인 것을 특징으로 하는 고체 전해질
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 옥시설파이드계 화합물은 아지로다이트(argyrodite)형 결정구조의 결정상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 고체 전해질의 이온 전도도는 실온(25℃)에서 0
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 옥시설파이드계 화합물은 Li6
12 12
제 1 항에 따른 화학식 (1)의 화합물을 포함하는 고체 전해질을 제조하는 방법으로서, (가) 리튬 황화물, P2S5, 금속 M의 산화물 및 LiX (여기서, M은 Zr, Nb, Hf, Ta, Ga, In, Ti, Pb, Bi, Ge, As, Sb, Si, B, 및 Al로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이고, 및 상기 X는 F, Cl, Br, 및 I로 이루어진 군에서 선택되는 하나이다)을 혼합하는 단계; (나) 상기 단계 (가)의 혼합된 화합물을 압축하여 펠렛을 제조하는 단계; (다) 상기 단계 (나)의 펠렛을 진공 분위기에서 열처리하는 단계; 및 (라) 상기 단계 (다)의 열처리한 화합물을 냉각 후 분쇄하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 단계 (가)의 혼합은 분당 회전수 200 내지 600 rpm, 및 1 내지 3 시간 조건에서 밀링(milling)하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 단계 (다)의 진공 분위기는 진공도 0
15 15
제 12 항에 있어서, 상기 단계 (다)의 열처리는 400 내지 700도(℃) 조건 하에서 5 내지 7 시간 유지하는 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 제조 방법
16 16
제 12 항에 있어서, 상기 단계 (가) 내지 (라)는 각각 수분 및 산소에 노출되지 않는 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 제조 방법
17 17
제 1 항에 따른 고체 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 전지
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1 WO2019107879 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2019107879 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 씨아이에스(주) 소재부품기술개발사업 (전략적핵심소재기술개발사업) 0.8mS/cm급 고이온전도체막 및 대면적 셀 구현을 위한 고안전성 에너지저장 소자용 무기계 고체전해질 소재 기술 개발