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전극부(110) 및 상기 전극부(110)에 전기적으로 접속되는 감지부(120)를 포함하여 구성되는 반도체식가스센서(100)를 이용하여 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 판별하는 방법에 있어서,(A) 상기 반도체식가스센서(100)를 준비하는 단계;(B) 상기 대상가스(target gas)를 상기 감지부(120)에 흡착시키는 단계;(C) 상기 전극부(110)에 전원을 인가하는 단계;(D) 상기 대상가스(target gas)가 흡착된 감지부(120)의 임피던스를 측정하는 단계;(E) 상기 임피던스의 실수부 및 상기 임피던스의 허수부가 도출되는 단계;(F) 하기 수학식 1에 의하여 상기 대상가스(target gas)가 흡착된 감지부(120)의 복소유전율의 실수부에 대한 주파수응답이 산출되는 단계;(G) 상기 복소유전율의 실수부에 대한 주파수응답을 상기 대상가스(target gas)의 농도별로 기록하고 있는 제1기준데이터(410)와 상기 (F)단계에서 산출된 복소유전율의 실수부에 대한 주파수응답을 대비하여 상기 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 확정하는 단계;를 포함하여 이루어지고,상기 전원은 교류전원인 것을 특징으로 하는 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 판별하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (G)단계 이후에,(H) 상기 (G)단계에서 상기 대상가스(target gas)의 종류 및 농도가 확정되지 않은 경우, 상기 대상가스(target gas)가 흡착된 감지부(120)의 임피던스의 실수부 및 상기 대상가스(target gas)가 흡착된 감지부(120)의 임피던스의 허수부의 관계를 상기 대상가스(target gas)의 농도별로 기록하고 있는 제2기준데이터(420)와 상기 (E)단계에서 도출된 임피던스의 실수부 및 상기 (E)단계에서 도출된 임피던스의 허수부를 대비하여 상기 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 확정하는 단계;를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 판별하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (A)단계 및 상기 (B)단계 사이에, 상기 감지부(120)를 소정의 온도로 가열하는 단계;를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 판별하는 방법
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대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 판별하는 반도체식가스센서모듈에 있어서,전극부(110), 및상기 대상가스(target gas)가 흡착되며 상기 전극부(110)에 인가되는 전원에 대하여 임피던스소자로서 기능하는 감지부(120),를 포함하여 구성되는 반도체식가스센서(100);상기 전극부(110)에 상기 전원이 인가되는 경우에 상기 대상가스(target gas)가 흡착된 감지부(120)의 임피던스를 측정하여 임피던스신호를 생성하는 기능을 구비하는 임피던스측정부(200);상기 대상가스(target gas)가 흡착된 감지부(120)의 복소유전율의 실수부에 대한 주파수응답을 상기 대상가스(target gas)의 농도별로 기록하고 있는 제1기준데이터(410), 및상기 임피던스의 실수부 및 상기 임피던스의 허수부의 관계를 상기 대상가스(target gas)의 농도별로 기록하고 있는 제2기준데이터(420),가 기록되는 저장부(400);상기 임피던스측정부(200)로부터 상기 임피던스신호를 수신하여 상기 임피던스의 실수부 및 상기 임피던스의 허수부를 도출한 다음, 하기 수학식 1로부터 상기 복소유전율의 실수부에 대한 주파수응답을 산출하여 상기 제1기준데이터(410)와 대비하는 방법으로 상기 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 확정하는 프로세서부(300);를 포함하여 이루어지고,상기 전원은 교류전원인 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 프로세서부(300)는 상기 제1기준데이터(410)와 대비하는 방법에 의하여 상기 대상가스(target gas)의 종류 및 농도가 확정되지 않은 경우, 상기 임피던스신호로부터 도출된 임피던스의 실수부 및 상기 임피던스신호로부터 도출된 임피던스의 허수부를 상기 제2기준데이터(420)와 대비하는 방법으로 상기 대상가스(target gas)의 종류 및 농도를 확정하는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 반도체식가스센서(100)는 상기 감지부(120)를 소정의 온도로 가열하는 기능을 구비하는 가열부(130)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 반도체식가스센서(100)는 상기 전극부(110) 및 상기 감지부(120)가 설치되는 기판(140)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 감지부(120)는 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 감지부(120)는 n형반도체 또는 p형반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 감지부(120)는 상기 대상가스(target gas)에 대한 선택성을 증가시키는 금속촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 감지부(120)는 열화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 전극부(110)는 깍지형전극(Inter Digital Electrode, IDE)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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청구항 7에 있어서,상기 전극부(110)는 제1전극(111) 및 제2전극(112)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식가스센서모듈
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