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전자파 차폐 필터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019022387
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 넓은 주파수 영역의 전자파수를 고 차폐능으로 차폐할 수 있는 전자파 차폐 필터로, 다공성 고분자 필름; 및 상기 다공성 고분자 필름에 표면에 침적되는 은나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H05K 9/00 (2018.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) C08J 7/04 (2006.01.01) C08L 25/10 (2006.01.01)
CPC H05K 9/0081(2013.01) H05K 9/0081(2013.01) H05K 9/0081(2013.01) H05K 9/0081(2013.01) H05K 9/0081(2013.01) H05K 9/0081(2013.01)
출원번호/일자 1020160048422 (2016.04.20)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1687407-0000 (2016.12.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20161219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유의상 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 김은주 대한민국 서울특별시 은평구
3 이진아 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 임대영 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0381613-14
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0382327-28
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2016.04.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2016.04.27 수리 (Accepted) 9-1-2016-0019266-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0418558-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0558051-50
7 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2016.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0558044-30
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0860291-52
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0860263-84
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0636765-95
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0844253-09
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1164505-25
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1164540-13
14 등록결정서
Decision to grant		 2016.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0883627-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정성 설탕 몰드에 의해 다공성 SBS 고분자 필름을 제조하는 단계 및 상기 제조된 다공성 SBS 고분자 필름에 은나노 입자를 침적 시키는 단계를 포함하고,상기 SBS 고분자 필름을 제조하는 단계는,(a) 결정성 설탕 몰드를 준비하는 단계; (b) 결정성 설탕 몰드에 10 내지 30중량%의 SBS 고분자 용액을 몰딩 및 건조하는 단계; 및 (c) 결정성 설탕을 녹이고 몰딩된 SBS 고분자를 세척하는 단계를 포함하며,상기 은나노 입자를 침적시키는 단계는,상기 다공성 SBS 고분자 필름을 은나노 입자 전구체 용액에 침지시켜 상기 다공성 SBS 고분자 필름에 상기 은나노 입자 전구체를 흡수시키는 단계; 및상기 은나노 입자 전구체가 흡수된 다공성 SBS 고분자 필름에 환원용액을 떨어트려 은나노 전구체를 은나노 입자로 환원시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 필터의 제조방법
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삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 은나노 입자 전구체 용액은 10 내지 20중량%의 실버 트리플루오로아세테이트(Silver trifluoroacetate)인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 필터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 환원용액은 40 내지 60중량%의 하이드라진 하이드레이트(Hydrazin hydrate)인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 필터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 은나노 입자가 침적된 다공성 SBS 고분자 필름을 증류수에 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 필터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.