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제1전구체가 제1용매에 용해되어 제1전구체 용액이 제조되는 단계(S11);제2전구체가 제2용매에 용해되어 제2전구체 용액이 제조되는 단계(S12);제3전구체가 제3용매에 용해되어 제3전구체 용액이 제조되는 단계(S13); 상기 제1 내지 제3전구체 용액이 혼합되는 단계(S20); 및혼합된 상기 제1 내지 제3전구체 용액이 기설정된 온도로 가열되어 양자점이 제조되는 단계(S30); 를 포함하고, 상기 제S30단계에서 제조된 양자점은, 2가 희토류 금속 이온이 도핑(dopping)되고, 3가 희토류 금속 이온이 캐핑(capping)된 구조를 가지는 두 가지 파장을 가지는 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1전구체는 아연(Zn), 카드뮴(Cd) 및 수은(Hg)원소를 포함하는 군으로부터 선택된 어느 하나의 12족 원소 또는 그 원소를 포함하는 화합물이고, 상기 제1용매는 1-옥타데센(1-Octadecene)인 두 가지 파장을 가지는 양자점 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 제1전구체 용액은, 0
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제2항에 있어서,상기 제2전구체는, 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te) 원소를 포함하는 군으로부터 선택된 어느 하나의 원소이거나, 그 원소를 포함하는 화합물이고,상기 제2용매는, 아민(amine) 및 트리부틸포스핀(Tributylphosphine) 중 적어도 하나 이상인 두 가지 파장을 가지는 양자점 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 제2전구체 용액은, 0
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제4항에 있어서,상기 제3전구체는, 란타늄(La), 세륨(Ce), 프라세디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메슘(Pm), 사마륨(Sm),유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 톨륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu)군에서 선택된 어느 하나의 희토류금속이거나 그 희토류 금속을 포함하는 화합물이고,상기 제3용매는, 1-옥타데센(1-Octadecene)인 두 가지 파장을 가지는 양자점 제조 방법
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7
제6항에 있어서,상기 제3전구체 용액은, 0
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8
제1항에 있어서,상기 제1 내지 제3전구체의 몰비는 1:6:1인 두 가지 파장을 가지는 양자점 제조 방법
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9
제1항에 있어서,상기 제S30단계에서 혼합된 상기 제1 내지 제3전구체 용액은 200℃ 내지 240℃의 온도에서 15초 내지 300초의 시간 동안 가열되는 두 가지 파장을 가지는 양자점 제조 방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의하여 제조되는 두 가지 파장을 가지는 양자점
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