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탄소나노튜브의 표면을 화학적 작용기로 선택적 개질시키는 단계;상기 선택적 개질된 탄소나노튜브를 비극성 용매에 분산시켜 분산용액을 형성하는 단계;상기 분산용액에 극성용매를 첨가하여 상기 탄소나노튜브의 표면상에 화학적 작용기가 개질된 정도에 따라 극성용매 밀집부와 비극성 용매 밀집부를 형성시키는 단계;상기 극성용매가 첨가된 분산용액에 절연막 전구체를 첨가하고, 상기 극성용매 밀집부에 상기 절연막 전구체가 확산되어 상기 극성용매 밀집부 상에 기능성 작용기로 개질된 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막 전구체가 첨가된 분산용액에 금속 전구체를 첨가하여 상기 개질된 절역막 상에 게이트 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 양 끝단이 중심부보다 두께가 더 얇은 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 중심부가 탄소나노튜브의 양 끝단보다 더 개질되는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 극성용매 밀집부는 상기 탄소나노튜브 표면 상에 상기 화학적 작용기가 상대적으로 더 개질된 부분에 형성되고, 상기 비극성용매 밀집부는 상기 탄소나노튜브 표면 상에 상대적으로 상기 화학적 작용기가 덜 개질된 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT), 이중벽 탄소나노튜브(DWCNT), 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT) 및 이들의 번들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 화학적 작용기는 카르복시기(-COOH), 수산기(-OH) 및 카복시레이트기(-COO-)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제1에 있어서,상기 비극성 용매는 알칸계 화합물, 방향족 화합물, 글리콜 에테르류, 글리콜 에테르 아세테이트류, 아세테이트류, 할로겐 화합물 및 니트로겐 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 극성용매는 알코올계 용매 및 증류수를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기능성 작용기는 아민기인 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기능성 작용기로 개질된 절연막은 아민기로 개질된 실리카(SiO2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연막 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법:[화학식 1](상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 서로 같거나 상이하며, C1 내지 C10 인 알킬기 중에서 선택되고, M은 규소(Si), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 바륨(Ba), 란타늄(La) 및 스트론튬(Sr)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종의 금속원소이고, Q는 C1 내지 C10인 알킬아민기임)
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제1항에 있어서, 상기 기능성 작용기로 개질된 절연막을 형성하는 단계는, 20℃ 내지 80℃의 온도조건에서 상기 극성용매 밀집부를 가수분해 및 축합 반응시키는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 및 탄탈륨(Ta)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 전구체는 카르복실기 함유 리간드를 포함하는 금속화합물인 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법
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탄소나노튜브;상기 탄소나노튜브의 양 끝단을 제외한 중심부 표면에 선택적으로 코팅되되, 기능성 작용기로 개질된 절연막; 및상기 기능성 작용기로 개질된 절연막 상에 선택적으로 자가조립된 게이트 금속층; 을 포함하고, 상기 기능성 작용기로 개질된 절연막 및 상기 게이트 금속층은 용액상에서 상기 탄소나노튜브의 양 끝단을 제외한 중심부에 선택적으로 형성된 것임을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 양 끝단이 중심부보다 두께가 더 얇은 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터
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제15항에 있어서,상기 기능성 작용기로 개질된 절연막은 아민기로 개질된 실리카(SiO2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 랩 게이트 구조의 탄소나노튜브 트랜지스터
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