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에폭시 수지를 포함하는 조성물을 준비하는 단계;조성물의 기포 제거 후 70 ~ 100℃에서 1차 가경화하는 단계;1차 가경화된 조성물을 캐스팅(casting) 후 70 ~ 100℃에서 2차 가경화하여 기판으로 제조하는 단계;상기 기판 상에 전극을 형성하는 단계;전극이 형성된 기판을 건조하는 단계; 및 건조된 기판을 성형 몰드 내에서 70 ~ 100℃에서 완전 경화하여 곡면 성형하는 단계를 포함하는 곡면형 내장 안테나 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 곡면형 내장 안테나 제조방법:[화학식 1](상기 n은 3 내지 5이다
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제1항에 있어서, 상기 조성물은 용매, 에폭시, 희석제, 경화제, 및 촉진제를 포함하는 것을 특징으로 하는 곡면형 내장 안테나 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 조성물은전체 100 중량%를 만족하도록 에폭시 40~50 중량%, 희석제 10~25 중량%, 경화제 10~20 중량%, 촉진제 0
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제3항에 있어서, 상기 용매는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 및 아세톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 곡면형 내장 안테나 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 희석제는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane Triacrylate)인 것을 특징으로 하는 곡면형 내장 안테나 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 1차 가경화는 70 ~ 100℃에서 5분 내지 20분간, 2차 가경화는 70 ~ 100℃에서 30분 내지 50분간, 완전 경화는 70 ~ 100℃에서 25분 내지 45분간 경화되는 것을 특징으로 하는 곡면형 내장 안테나 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전극 형성 단계는 상기 기판 상의 일측면 및 타측면에 제 1 및 2 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 곡면형 내장 안테나 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 제 1 및 2 전극 패턴은 일정 간격으로 이격 형성되어 연결되는 것을 특징으로 하는 곡면형 내장 안테나 제조방법
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