| 1 |
1
투명한 재질의 기판;상기 기판 위에 형성된 색변환부;상기 색변환부 위에 형성된 투명한 제1전극부;상기 제1전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 청색 발광부; 및상기 청색 발광부 위에 형성된 제2전극을 포함하여 구성되며,상기 색변환부는 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점물질이 분산되어 있고,상기 제1전극부는 유전체층 사이에 금속층이 삽입된 DMD 전극이며,상기 DMD 전극의 표면 플라즈몬 효과에 의해서 상기 양자점물질의 내부양자효율(internal quantum efficiencies)이 증가함으로써, 색변환 효율이 증가된 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 DMD 전극의 금속층과 상기 색변환부의 사이에 위치하는 유전체층의 두께가 1nm 내지 150nm 범위인 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 DMD 전극의 금속층과 상기 색변환부의 사이에 위치하는 유전체층의 두께가 30nm 인 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 DMD 전극의 금속층이 Ag 또는 Au 재질인 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 DMD 전극의 유전체층들 중에 적어도 하나가 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 DMD 전극의 유전체층 중에 상기 청색 발광부에 접하는 유전체층이 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 DMD 전극의 유전체층들 중에 적어도 하나가 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 색변환부에 분산된 양자점물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서, 상기 청색 발광부가, 상기 제1전극부 위에 형성된 정공전달층;상기 정공전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 청색발광층;상기 청색발광층 위에 형성된 전자전달층; 및상기 전자전달층 위에 형성된 전자주입층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자
|
| 10 |
10
투명한 재질의 기판 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계;상기 색변환부 상에 유전체층과 금속층 및 유전체층을 순차적으로 적층하여 DMD 전극 구조의 제1전극부를 형성하는 단계;상기 제1전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 청색 발광부를 형성하는 단계; 및상기 청색 발광부 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,DMD 전극의 표면 플라즈몬 효과에 의해서 상기 양자점물질의 내부양자효율(internal quantum efficiencies)이 증가함으로써 색변환 효율이 증가된 OLED 소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,상기 제1전극부를 형성하는 단계에서, 상기 색변환부의 표면에 첫 번째 유전체층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 10에 있어서,상기 제1전극부를 형성하는 단계에서, 상기 색변환부의 표면에 첫 번째 유전체층을 30nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 10에 있어서,상기 제1전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 또는 Au 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 10에 있어서,상기 제1전극부를 형성하는 단계에서, 2개의 유전체층 중에 적어도 하나를 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 15 |
15
청구항 14에 있어서,상기 금속층 표면에 두 번째 유전체층을 형성하는 과정에서, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 16 |
16
청구항 10에 있어서,상기 제1전극부를 형성하는 단계에서, 2개의 유전체층 중에 적어도 하나를 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 10에 있어서,상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
| 18 |
18
청구항 10에 있어서, 상기 청색 발광부를 형성하는 단계가,상기 제1전극부 상에 정공전달층을 형성하는 단계;상기 정공전달층 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 청색발광층을 형성하는 단계;상기 청색발광층 상에 전자전달층을 형성하는 단계; 및상기 전자전달층 상에 전자주입층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 백색 OLED 소자의 제조방법
|
