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미세 구조가 형성된 PDMS 스탬프 롤을 이용한 마이크로 구조를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

  • 기술번호 : KST2019022487
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 다양한 실시예는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 미세 구조가 형성된 PDMS 스탬프 롤을 이용한 마이크로 구조를 갖는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공하는데 있다.이를 위해 본 발명은 다수의 요철 패턴을 갖는 스탬프를 원기둥 형태의 롤에 감아 스탬프 롤을 준비하는 단계; 전면과 후면을 갖고, 제1도전형 불순물이 도핑된 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면에 수지를 코팅하고, 상기 수지의 일측에서 타측의 수평 방향으로 상기 스탬프 롤을 가압시킨 채로 회전시켜 상기 전면 위에 상기 스탬프를 전사시켜 수지 패턴을 형성하는 단계; 상기 수지 패턴을 마스크로 식각 공정을 수행하여, 상기 반도체 기판의 전면에 마이크로 와이어를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면 및 마이크로 와이어에 제2도전형 불순물을 도핑하는 단계; 및 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 각각 전면 전극 및 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 개시한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01)
출원번호/일자 1020160137497 (2016.10.21)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1830536-0000 (2018.02.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주광역시 광산구
2 전기석 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인성암 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1024085-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011767-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0565361-44
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1004623-31
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1004622-96
7 등록결정서
Decision to grant
2018.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0093076-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다수의 요철 패턴을 갖는 스탬프를 원기둥 형태의 롤에 감아 스탬프 롤을 준비하는 단계;전면과 후면을 갖고, 제1도전형 불순물이 도핑된 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 반도체 기판의 전면에 수지를 코팅하고, 상기 수지의 일측에서 타측의 수평 방향으로 상기 스탬프 롤을 가압시킨 채로 회전시켜 상기 전면 위에 상기 스탬프를 전사시켜 수지 패턴을 형성하는 단계;상기 수지 패턴을 마스크로 식각 공정을 수행하여, 상기 반도체 기판의 전면에 마이크로 와이어를 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 전면 및 마이크로 와이어에 제2도전형 불순물을 도핑하는 단계; 및상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 각각 전면 전극 및 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 스탬프 롤은 웨이퍼의 준비 공정(a)과, 상기 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 코팅하는 공정(b)과, 마스크를 통하여 자외선을 조사하여 상기 포토레지스트의 물리 화학적 성질을 변화시키는 공정(c)과, 상기 자외선에 노출된 상기 포토레지스트의 영역을 제거하는 현상 공정(d)과, 상기 자외선에 노출되지 않은 상기 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 웨이퍼의 표면을 식각하여 다수의 돌기를 형성하는 공정(e)과, 상기 자외선에 노출되지 않은 포토레지스트를 스트립하는 공정(f)과, 상기 다수의 돌기가 형성된 상기 웨이퍼의 위에 상기 스탬프의 재료가 되는 경화제 함유 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 코팅하는 공정(g)과, 상기 PDMS를 큐어링하는 공정(h)과, 상기 큐어링된 PDMS 스탬프를 상기 웨이퍼로부터 분리하여 상기 다수의 요철 패턴을 갖는 스탬프를 준비하는 공정(i)과, 상기 다수의 요철 패턴을 갖는 스탬프를 원기둥 형태의 롤에 감는 공정(j)에 의해 제조됨[[함]]을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 스탬프 롤은 진공 흡착력에 의해 상기 스탬프를 흡착하고, 상기 수지 패턴을 형성하는 단계에서 상기 진공 흡착력이 제거됨을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스탬프를 전사시켜 수지 패턴을 형성하는 단계 이후에,상기 스탬프를 평판 형태의 유리 기판으로 가압하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 유리 기판으로 가압하는 단계 이후에,상기 유리 기판 위에서 자외선을 조사하여 상기 수지 패턴을 경화하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 마이크로 와이어는 평평한 상면과, 상기 상면으로부터 상기 전면에까지 연장된 원통형의 측면을 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2도전형 불순물의 도핑에 의해 상기 마이크로 와이어의 표면을 따라 라디얼 정션이 형성되고, 상기 라디얼 정션의 깊이는 300 nm 내지 700 nm인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로 와이어를 갖는 상기 반도체 기판의 전면의 파장 300 nm 내지 1100 nm를 갖는 광의 반사율은 36 % 내지 38 %인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 전면과 마이크로 와이어에 제2도전형 불순물을 도핑하는 단계는POCl3을 이용한 열확산 방식으로서,10분 내지 20분동안 800 ℃ ~ 820 ℃의 온도를 유지하는 제1단계와,50분 내지 70분동안 840 ℃ ~ 880 ℃까지 선형으로 온도를 증가하는 제2단계와,20분 내지 40분동안 860 ℃ ~ 880 ℃의 온도를 유지하는 제3단계와,10분 내지 30분동안 800 ℃ ~ 820 ℃까지 선형으로 온도를 감소하는 제4단계와, 10분 내지 20분동안 800 ℃ ~ 820 ℃의 온도를 유지하는 제5단계를 포함함을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각 공정은 1초 내지 3초동안 C4F8을 주입하는 제1공정과, 1초 내지 3초동안 SF6를 주입하는 제2공정이 하나의 사이클로 정의되고,상기 사이클이 60 ~ 80회 수행됨을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제1공정은 C4F8이 40 sccm ~ 60 sccm 주입되고, 상기 제2공정은 SF6가 90 sccm 내지 110 sccm 주입됨을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
12 12
제1항, 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) OCI 중앙연구소 에너지기술개발사업 나노구조를 이용한 저가고효율 태양전지 원천기술개발