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절연체 기판(31) 위에 소정간격을 두고 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치된 템플릿(30)을 형성하는 1단계;상기 1단계에서 형성된 템플릿(30)을 덮는 레지스트층(34)을 형성하되, 상기 레지스트층(34)이 일부 미형성된 부분으로서 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b)이 각각 양단에서 노출되는 트렌치(35)를 형성하는 2단계;상기 2단계 후, 상기 트렌치(35)가 형성된 템플릿(30)을, 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 중 어느 하나는 상측에 위치하고 다른 하나는 하측에 위치하도록 나노소재용액(25)에 담그고, 상기 나노소재용액(25) 중에서 상기 템플릿(30)과 이격된 위치에 대향전극(40)을 배치하는 3단계;상기 3단계후, 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 중 상측에 위치하는 전극과, 상기 대향전극(40)을 전원(50)으로 연결함으로써, 전기영동에 의해 상기 상측에 위치하는 전극에 나노소재(70)가 부착됨과 함께 상기 나노소재용액(25) 중에서 상기 나노소재(70)가 체인구조를 이루는 4단계; 및상기 4단계 후 상기 템플릿(30)을 상승시켜 상기 트렌치(35) 내에서 상기 나노소재(70)가 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b)을 연결하도록 안착되는 5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작방법
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제1항에 있어서,상기 1단계에서상기 절연체 기판(31)에는 상기 레지스트층(34)의 외표면보다 높은 친수성을 가진 친수성표면을 포함하고 그 친수성표면에 상기 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치되며,상기 2단계에서상기 트렌치(35) 내에는 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 사이에 상기 친수성표면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작방법
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제1항에 있어서,상기 절연체 기판(31)은 친수성표면을 포함하고 그 친수성표면에 상기 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치되되,상기 친수성표면은 컨택앵글이 20° 이하인 친수성을 가지고, 상기 레지스트층(34)의 표면은 컨택앵글이 60°이상인 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레지스트층(34)을 제거하는 6단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작방법
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절연체 기판(31) 상에서 양 전극을 나노소재(70)가 서로 연결하고 있는 구조의 나노소재 어셈블리구조의 제작방법에 있어서,상기 절연체 기판(31) 위에 소정간격을 두고 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치된 템플릿(30)을 형성하는 단계;상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 중 어느 하나는 상측에 위치하고 다른 하나는 하측에 위치하도록 상기 템플릿(30)을 나노소재용액(25)에 담그고, 상기 나노소재용액(25) 중에서 상기 템플릿(30)과 이격된 위치에 대향전극(40)을 배치하는 단계;상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 중 상측에 위치하는 전극과, 상기 대향전극(40)을 전원(50)으로 연결함으로써, 전기영동에 의해 상기 상측에 위치하는 전극에 나노소재(70)가 부착됨과 함께 상기 나노소재용액(25) 중에서 상기 나노소재(70)가 체인구조를 이루는 단계; 및상기 템플릿(30)을 상승시켜 상기 나노소재(70)가 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b)을 연결하도록 상기 템플릿(30) 표면에 안착되는 5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작방법
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제5항에 있어서,상기 템플릿(30)은 상기 절연체 기판(31)에 친수성표면이 형성되고, 그 친수성표면의 상면에 상기 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치되며, 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 사이에 상기 친수성표면이 노출되어 있는 구조를 이루되,상기 친수성표면은 컨택앵글이 20° 이하인 친수성을 가지는 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작방법
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제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노소재(70)는 탄소나노튜브, 골드나노와이어, 실버나노와이어, 진콕사이드나노와이어 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작방법
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나노소재(70)가 분산되어 포함되어 있는 나노소재용액(25)의 수조(20);소정간격을 두고 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치된 절연체 기판(31)의 상면에, 레지스트층(34)이 덮어 적층상태를 이루되, 상기 레지스트층(34)이 일부 미형성된 영역으로서, 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b)이 각각 양단에서 노출되는 트렌치(35)가 형성되어 있는 템플릿(30);상기 나노소재용액(25) 내에서 상기 템플릿(30)과 대향하여 배치되는 대향전극(40);상기 템플릿(30)이 상기 수조(20)에 담긴 상태에서 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 중 상측에 위치하는 전극과, 상기 대향전극(40)을 연결하는 전원(50); 및상기 나노소재용액(25) 내에서 상기 상측에 위치하는 전극에 부착된 체인구조의 나노소재(70)가 상기 템플릿(30)과 함께 상승하면서 상기 일측전극(33a)과 타측전극(33b)을 연결시키도록 하기 위해 상기 템플릿(30)을 상승시키는 상승구동장치(60)를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작장치
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제8항에 있어서,상기 템플릿(30)은 상기 절연체 기판(31)에는 상기 레지스트층(34)의 외표면보다 높은 친수성을 가진 친수성표면을 포함하고 그 친수성표면의 상면에 상기 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치되며, 상기 트렌치(35) 내에는 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 사이에 상기 친수성표면이 노출되어 있는 구조인 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작장치
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제8항에 있어서,상기 절연체 기판(31)은 친수성표면을 포함하고 그 친수성표면에 상기 일측전극(33a)과 타측전극(33b)이 배치되되, 상기 트렌치(35) 내에는 상기 일측전극(33a)과 상기 타측전극(33b) 사이에 상기 친수성표면이 노출되어 있으며,상기 친수성표면은 컨택앵글이 20° 이하인 친수성을 가지고, 상기 레지스트층(34)의 표면은 컨택앵글이 60°이상인 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작장치
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노소재(70)는 탄소나노튜브, 골드나노와이어, 실버나노와이어, 진콕사이드나노와이어 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노소재 어셈블리구조의 제작장치
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