맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지용 실리콘 정련 장치 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2019022592
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 실리콘 정련 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 내부가 진공상태에서 아르곤 가스 분위기로 제어되는 단계와, 챔버와, 상기 챔버의 내부에 구비되어 실리콘을 수용하는 도가니와, 상기 도가니의 외주에 구비되어 상기 실리콘을 용융시키는 그라파이트 히터와, 상기 그라파이트 히터를 통해 용융된 실리콘 용탕을 고주파와 저주파를 이용하여 가열 및 교반시키는 유도코일과, 교반되는 상기 실리콘 용탕에 스팀 플라즈마를 공급하는 플라즈마 토치와, 상기 실리콘 용탕의 일방향 응고를 위해 상기 도가니를 하강시키는 승강부재를 포함함으로써, 태양전지용으로 사용할 수 있는 고순도의 실리콘으로 정련할 수 있다.
Int. CL C30B 13/20 (2006.01.01) C30B 13/14 (2006.01.01) C30B 13/28 (2006.01.01) C30B 29/06 (2006.01.01) C30B 33/02 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01)
출원번호/일자 1020170038496 (2017.03.27)
출원인 한국생산기술연구원, 주식회사 탑머티리얼즈
등록번호/일자 10-1854257-0000 (2018.04.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.27)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 탑머티리얼즈 대한민국 경상북도 칠곡군

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문병문 대한민국 충남 천안시 서북구
2 정현도 대한민국 인천광역시 연수구
3 백수현 대한민국 인천광역시 연수구
4 황수현 대한민국 경상북도 칠곡군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인오암 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 탑머티리얼즈 경상북도 칠곡군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0299548-10
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2017.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0043877-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0021859-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0097573-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0235825-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0235826-65
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0274941-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부가 진공상태에서 아르곤 가스 분위기로 제어되는 챔버와,상기 챔버의 내부에 구비되어 실리콘을 수용하는 도가니와,상기 도가니의 외주에 구비되어 상기 실리콘을 용융시키는 그라파이트 히터와,상기 그라파이트 히터를 통해 용융된 실리콘 용탕을 고주파와 저주파를 포함하는 듀얼 주파수 모드로 가열 및 교반시키는 유도코일과,교반되는 상기 실리콘 용탕에 스팀 플라즈마를 공급하는 플라즈마 토치와,상기 실리콘 용탕의 일방향 응고를 위해 상기 도가니를 하강시키는 승강부재를 포함하며,상기 유도코일은, 상기 고주파의 경우 1
2 2
제 1 항에 있어서,상기 도가니는, 상기 실리콘 용탕의 상단과 맞닿은 부분에 그라파이트(graphite)를 포함하는 보호층을 코팅하는 태양전지용 실리콘 정련 장치
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 토치를 통해 수행되는 스팀 플라즈마 공정은, 25-35kW의 플라즈마 토치 파워가 공급되고, 쉴드가스로 Ar 가스가 7-15L/min으로 공급되며, 물은 1-3mL/min의 범위로 5-30분동안 공급되는 태양전지용 실리콘 정련 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 일방향 응고는, 상기 플라즈마 토치를 통한 스팀 플라즈마 공정이 완료되면, 기 설정된 시간동안 대기하여 상기 실리콘 용탕을 안정화시킨 후에, 상기 승강부재를 통해 상기 도가니를 10-14mm/hr의 하강속도로 18-25시간 동안 하부로 이동시키는 태양전지용 실리콘 정련 장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 그라파이트 히터와 상기 유도코일의 사이에는, 단열재가 구비되는 태양전지용 실리콘 정련 장치
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
챔버 내부를 진공상태에서 아르곤 가스 분위기로 제어하는 단계와,실리콘을 수용하는 도가니의 외주에 구비된 그라파이트 히터를 통해 상기 실리콘을 용융시키는 단계와,상기 그라파이트 히터의 외주에 구비된 유도코일에 고주파와 저주파를 인가하여 듀얼 주파수 모드로 실리콘 용탕을 가열 및 교반시키는 단계와,상기 가열 및 교반되는 실리콘 용탕에 스팀 플라즈마를 공급하는 스팀 플라즈마 공정을 수행하는 단계와,상기 스팀 플라즈마 공정이 완료될 경우 상기 도가니를 하방으로 이동시켜 일방향 응고시키는 단계를 포함하며,상기 실리콘 용탕을 가열 및 교반시키는 단계는, 상기 고주파의 경우 1
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 스팀 플라즈마 공정을 수행하는 단계는, 25-35kW의 플라즈마 토치 파워가 공급되고, 쉴드가스로 Ar 가스가 7-15L/min으로 공급되며, 물은 1-3mL/min의 범위로 5-30분동안 공급되는 태양전지용 실리콘 정련 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 일방향 응고시키는 단계는, 기 설정된 시간동안 대기하여 상기 실리콘 용탕을 안정화시킨 후에, 상기 도가니를 하방으로 이동시키는 태양전지용 실리콘 정련 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 일방향 응고시키는 단계는, 10-14mm/hr의 하강속도로 18-25시간 동안 하부로 이동시키는 태양전지용 실리콘 정련 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)탑머티리얼즈 산업기술국제협력 태양전지 폐기물로부터 실리콘 재활용