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베이스 기판, 상기 베이스 기판 상면에 위치한 광열변환층, 및 상기 광열변환층 상면에 위치하고 복수 개의 마이크로 채널이 함몰 형성된 패턴층을 포함하는 전사 기판을 준비하는 단계; 상기 패턴층 일측에 발광잉크를 적하하는 단계; 상기 적하된 발광잉크가 가스 및 모세관력에 의해 상기 복수 개의 마이크로 채널 각각을 따라 상기 패턴층 타측으로 확장되도록, 상기 패턴층 일측에 상기 가스를 공급하는 단계; 상기 패턴층을 타겟 기판으로 덮는 단계; 및 상기 광열변환층에 광이 도달하도록 상기 베이스 기판 하부에 상기 광을 조사하여, 상기 확장된 발광잉크를 상기 타겟 기판에 전사하는 단계를 포함하고, 상기 전사하는 단계에서, 상기 광열변환층은 상기 광을 열로 변환하고 상기 변환된 열이 상기 패턴층에 전달되어 상기 확장된 발광잉크를 증발시키는 것을 특징으로 하고,상기 광열변환층은 상기 베이스 기판 상면에 위치하는 제1금속층, 상기 제1금속층 상면에 위치하는 세라믹층 및 상기 세라믹층 상면에 위치하는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합성수지 기판인 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 유리 기판 또는 석영 기판인 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 제1금속층 또는 제2금속층은 몰리브데넘, 크로뮴, 타이타늄, 주석, 텅스텐, 및 이들의 합금으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 세라믹층은 금속 산화물 및 금속 질화물 중 적어도 하나의 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 산화물은 SiOx, AlOx, TiOx, CuOx, NiOx, SnOx, VOx, CrOx, MnOx, FeOx, CoOx, ZnOx, MoOx, WOx, AgOx, IrOx, RuOx, MgOx, InOx, PbOx, 및 PdOx로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 질화물은 SiNx, AlNx, 및 TiNx 중 적어도 하나의 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 패턴층은 SiOx, AlOx, TiOx, CuOx, NiOx, SnOx, VOx, CrOx, MnOx, FeOx, CoOx, ZnOx, MoOx, WOx, AgOx, IrOx, RuOx, MgOx, InOx, PbOx, PdOx, SiNx, AlNx, 및 TiNx로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 복수 개의 마이크로 채널은 상기 패턴층을 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 광은 플래시 램프, 텅스텐 할로겐 램프, 또는 레이저 램프에 의해 조사되는 것을 특징으로 하는, 가스-보조 발광잉크 패터닝 방법을 통한 전사방법
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베이스 기판, 상기 베이스 기판 상면에 위치한 광열변환층, 및 상기 광열변환층 상면에 위치하고 복수 개의 마이크로 채널이 함몰 형성된 패턴층을 포함하는 전사 기판; 상기 패턴층 일측에 인접하고, 상기 패턴층 일측에 발광잉크가 적하되면 상기 적하된 발광잉크가 가스 및 모세관력에 의해 상기 복수 개의 마이크로 채널 각각을 따라 상기 패턴층 타측으로 확장되도록, 상기 패턴층 일측에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 상기 광열변환층에 광이 도달하도록 상기 베이스 기판 하부에 상기 광을 조사하는 광원을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 광열변환층은 상기 베이스 기판 상면에 위치하는 제1금속층, 상기 제1금속층 상면에 위치하는 세라믹층 및 상기 세라믹층 상면에 위치하는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전사 장치
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제15항에 있어서, 상기 가스 공급부는 에어 나이프인 것을 특징으로 하는, 전사 장치
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