맞춤기술찾기

이전대상기술

모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법, 모세관-유도 전사 기판, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법, 및 유기물 패턴

  • 기술번호 : KST2019022642
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 OLED의 유기물 패턴을 형성하기 위한 전사 기판, 그 제조방법, 및 OLED의 유기물 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 준비된 베이스 기판에 마이크로 채널을 함몰 형성하는 단계; 상기 마이크로 채널이 형성된 상기 베이스 기판의 표면을 따라, 상기 베이스 기판 상부에 광열변환층을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기판에서 상기 마이크로 채널이 형성된 부분의 표면에 위치하는 광열변환층 부분을 제외하고, 나머지 광열변환층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법을 제공한다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 21/3105 (2006.01.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020170084503 (2017.07.03)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1921300-0000 (2018.11.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.03)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이호년 대한민국 인천광역시 연수구
2 김현종 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 박영민 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 강경태 대한민국 서울시 서초구
5 조관현 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0637822-66
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0402589-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0808665-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0821658-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0821665-45
7 등록결정서
Decision to grant
2018.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0719725-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 준비된 베이스 기판에 마이크로 채널을 함몰 형성하는 단계; 상기 마이크로 채널이 형성된 상기 베이스 기판의 표면을 따라, 상기 베이스 기판 상부에 광열변환층을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기판에서 상기 마이크로 채널이 형성된 부분의 표면에 위치하는 광열변환층 부분을 제외하고, 나머지 광열변환층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 광열변환층을 형성하는 단계와 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계 사이에, 상기 형성된 광열변환층 상부에 상기 마이크로 채널을 채우면서 유기물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 마이크로 채널을 함몰 형성하는 단계에서, 상기 마이크로 채널은 포토리소그래피 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계에서, 상기 나머지 광열변환층은 CMP로 제거되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계와 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계 사이에, 상기 마이크로 채널에 삽입된 유기물층 부분에 인접한 나머지 유기물층을 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계 이후, 상기 마이크로 채널에 삽입된 상기 유기물층 부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 유기물층은 감광성 폴리머로 구성되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 감광성 폴리머는 폴리스티렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아릴에테르, 헤테로사이클릭 폴리머, 파릴렌, 불소 고분자, 에폭시 수지, 벤조사이클로부틴계 수지, 실록세인계 수지, 실란 수지, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴 아마이드, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리메틸비닐에테르, 폴리에틸렌이민, 폴리아닐린, 폴리피롤, 실리콘 수지, 디아조 수지, 아지드 수지, 폴리에스테르 수지, 및 카르복실계 수지로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 나머지 유기물층을 제거하는 단계에서, 상기 나머지 유기물층은 노광-현상 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계에서, 상기 나머지 광열변환층은 식각 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 유기물층 부분을 제거하는 단계에서, 상기 유기물층 부분은 노광-현상 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계와 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계 사이에, 상기 마이크로 채널을 채우면서 상기 광열변환층에 인접한 유기물층 부분을 제외하고, 평평한 광열변환층-유기물층 상면이 노출되도록 나머지 유기물층을 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계 이후, 상기 마이크로 채널을 채우면서 상기 광열변환층에 인접한 상기 유기물층 부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 유기물층은 파라핀계 폴리머로 구성되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 파라핀계 폴리머는 n-테트라데칸, n-펜타데칸, n-헥사데칸, n-헵타데칸, n-옥타데칸, n-노나데칸, n-이코산, n-도코산, n-테트라코산, n-헥사코산, n-옥타코산, 및 n-트리아콘탄으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 나머지 유기물층을 제거하는 단계에서, 상기 나머지 유기물층은 가열 또는 용해 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
15 15
제12항에 있어서, 상기 나머지 광열변환층을 제거하는 단계에서, 상기 나머지 광열변환층은 식각 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
16 16
제12항에 있어서, 상기 유기물층 부분을 제거하는 단계에서, 상기 유기물층 부분은 가열 또는 용해 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 역 마이크로채널 형성방법
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
삭제
23 23
삭제
24 24
삭제
25 25
삭제
26 26
삭제
27 27
삭제
28 28
삭제
29 29
삭제
30 30
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 생산기술산업원천기술개발 VR기기 실감영상 구현을 위한 초고해상도 디스플레이 화소 제조기술 개발