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도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판, 도전 발열 패턴과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판, 도너 기판을 이용한 발광 패턴 형성방법, 발광 패턴, 및 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2019022643
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 다이오드, 양자점 발광 다이오드, 페로브스카이트 발광 다이오드 등과 같은 발광 다이오드의 화소를 이루는 발광 패턴을 형성하는 방법과 발광 패턴 형성을 위한 도너 기판에 관한 것으로, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상면에 위치한 도전 발열층; 상기 도전 발열층 상면에 위치하고, 요홈 패턴 및 상기 요홈 패턴에 인접하고 상기 요홈 패턴을 구획하는 돌출 패턴이 형성된 요홈 패턴층; 및 상기 요홈 패턴층의 상기 돌출 패턴 상면에 위치한 소수성 박막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판을 제공한다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020170084509 (2017.07.03)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1921301-0000 (2018.11.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.03)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조관현 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 강경태 대한민국 서울시 서초구
3 이상호 대한민국 서울특별시 동작구
4 황준영 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 강희석 대한민국 서울특별시 강남구
6 이호년 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0637847-07
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0417902-08
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0819741-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0941966-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0941979-57
7 등록결정서
Decision to grant
2018.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0719726-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판; 상기 베이스 기판 상면에 위치한 도전 발열층; 상기 도전 발열층 상면에 위치하고, 요홈 패턴 및 상기 요홈 패턴에 인접하고 상기 요홈 패턴을 구획하는 돌출 패턴이 형성된 요홈 패턴층; 및 상기 요홈 패턴층의 상기 돌출 패턴 상면에 위치한 소수성 박막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 요홈 패턴층은 친수성 재질인 것을 특징으로 하고,상부에 잉크를 적하하면, 상기 적하된 잉크가 상기 소수성 박막 패턴과의 반발력 및 모세관력에 의해 상기 요홈 패턴으로 이동되어 상기 요홈 패턴 내에 안착되고, 상기 도전 발열층은 전류가 인가되면 상기 인가된 전류를 열로 변환시키고, 상기 변환된 열이 상기 요홈패턴 내의 잉크를 증발시켜 타겟 기판에 전사되는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
2 2
제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은 유리, 석영, 및 합성수지로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
3 3
제1항에 있어서, 상기 도전 발열층은 몰리브데넘, 크로뮴, 타이타늄, 텅스텐, 및 이들의 합금으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
4 4
제1항에 있어서, 상기 요홈 패턴층은 친수성 재질인 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
5 5
제1항에 있어서, 상기 요홈 패턴층은 무기물 또는 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
6 6
제5항에 있어서, 상기 무기물은 산화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 아연, 및 산화 인듐 주석으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
7 7
제5항에 있어서, 상기 유기물은 폴리아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 및 벤조사이클로부텐으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
8 8
제1항에 있어서, 상기 소수성 박막 패턴은 불소계 고분자 및 금(Au) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전 발열층과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
9 9
베이스 기판; 상기 베이스 기판 상면에 위치한 도전 발열 패턴; 상기 도전 발열 패턴을 덮으면서 상기 베이스 기판 상면에 위치하고, 요홈 패턴 및 상기 요홈 패턴에 인접하고 상기 요홈 패턴을 구획하는 돌출 패턴이 형성된 요홈 패턴층; 및 상기 요홈 패턴층의 상기 돌출 패턴 상면에 위치한 소수성 박막 패턴을 포함하고, 상기 요홈 패턴은 상기 도전 발열 패턴에 대응하도록 상기 도전 발열 패턴 상부에 위치하는 것을 특징으로 하고,상기 요홈 패턴층은 친수성 재질인 것을 특징으로 하고,상부에 잉크를 적하하면 상기 적하된 잉크가 상기 소수성 박막 패턴과의 반발력 및 모세관력에 의해 상기 요홈 패턴으로 이동되어 상기 요홈 패턴 내에 안착되고, 상기 도전 발열 패턴은 전류가 인가되면 상기 인가된 전류를 열로 변환시키고, 상기 변환된 열이 상기 요홈 패턴 내의 잉크를 증발시켜 타겟 기판에 전사되는 것을 특징으로 하는, 도전 발열 패턴과 소수성 박막 패턴을 구비한 도너 기판
10 10
제1항의 도너 기판을 준비하는 단계; 상기 요홈 패턴 내에 발광 잉크가 주입되도록, 상기 준비된 도너 기판에 상기 발광 잉크를 적하하는 단계; 상기 도너 기판을 타겟 기판으로 덮는 단계; 및 상기 도전 발열층에 전류를 인가하여, 상기 발광 잉크를 상기 타겟 기판에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도너 기판을 이용한 발광 패턴 형성방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 발광 잉크를 적하하는 단계에서, 상기 소수성 박막 패턴 표면에 적하된 발광 잉크는 상기 소수성 박막 패턴과의 반발력 및 모세관력에 의해 상기 요홈 패턴으로 이동되어 상기 요홈 패턴 내에 안착하는 것을 특징으로 하는, 도너 기판을 이용한 발광 패턴 형성방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 발광 잉크를 전사하는 단계에서, 상기 전류는 10-6 내지 100초 동안 인가되는 것을 특징으로 하는, 도너 기판을 이용한 발광 패턴 형성방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 타겟 기판은 발광 다이오드 구동을 위한 박막 트랜지스터를 포함하는 기판이고; 레드 발광 잉크, 그린 발광 잉크, 및 블루 발광 잉크가 순차적으로 상기 타겟 기판에 전사되는 것을 특징으로 하는, 도너 기판을 이용한 발광 패턴 형성방법
14 14
제9항의 도너 기판을 준비하는 단계; 상기 요홈 패턴 내에 발광 잉크가 주입되도록, 상기 준비된 도너 기판에 상기 발광 잉크를 적하하는 단계; 상기 도너 기판을 타겟 기판으로 덮는 단계; 및 상기 도전 발열 패턴에 전류를 인가하여, 상기 발광 잉크를 상기 타겟 기판에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도너 기판을 이용한 발광 패턴 형성방법
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삭제
16 16
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 생산기술산업원천기술개발 VR기기 실감영상 구현을 위한 초고해상도 디스플레이 화소 제조기술 개발