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베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 준비된 베이스 기판 상부에 광열변환층을 형성하는 단계; 상기 형성된 광열변환층 상부에 무기물층을 형성하는 단계; 상기 형성된 무기물층 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 형성된 포토레지스트층을 노광 현상하는 단계; 및 상기 현상된 포토레지스트층 사이 노출된 상기 무기물층 부분을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 무기물층 부분을 식각하는 단계에서, 마이크로 채널이 형성되는 것을 특징으로 하고,상기 무기물층 부분을 식각하는 단계 이후, 상기 현상된 포토레지스트층을 무기물 보호층으로 코팅하는 단계; 및 상기 무기물 보호층을 소수성 막으로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 하이브리드 마이크로채널 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 광열변환층을 형성하는 단계와 상기 무기물층을 형성하는 단계 사이에, 상기 형성된 광열변환층 상면에 무기물 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 무기물층을 형성하는 단계에서, 상기 무기물층은 상기 형성된 무기물 보호층 상면에 형성되고; 상기 무기물층 부분을 식각하는 단계에서, 상기 현상된 포토레지스트층 사이 노출된 상기 무기물층 부분 및 상기 무기물 보호층 부분이 식각되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 하이브리드 마이크로채널 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 무기물층을 형성하는 단계와 상기 포토레지스트층을 형성하는 단계 사이에, 상기 형성된 무기물층 상면에 무기물 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 포토레지스트층을 형성하는 단계에서, 상기 포토레지스트층은 상기 형성된 무기물 보호층 상면에 형성되고; 상기 무기물층 부분을 식각하는 단계에서, 상기 현상된 포토레지스트층 사이 노출된 상기 무기물 보호층 부분 및 상기 무기물층 부분이 식각되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 하이브리드 마이크로채널 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 무기물층 부분을 식각하는 단계에서, 상기 무기물층 부분은 등방성 식각되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사를 위한 하이브리드 마이크로채널 형성방법
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베이스 기판; 상기 베이스 기판 상부에 위치하는 광열변환층; 상기 광열변환층 상부에 위치하는 무기물층; 및 상기 무기물층 상부에 위치하는 포토레지스트층을 포함하고, 상기 무기물층 및 상기 포토레지스트층에는 상기 무기물층 및 상기 포토레지스트층을 관통하는 마이크로 채널이 형성되는 것을 특징으로 하고,상기 마이크로 채널이 형성되어 있는 포토레지스트층을 감싸는 무기물 보호층 및 상기 무기물 보호층을 감싸는 소수성 막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제7항에 있어서, 상기 베이스 기판은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 합성수지 기판인 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제7항에 있어서, 상기 베이스 기판은 유리 기판 또는 석영 기판인 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제7항에 있어서, 상기 광열변환층은 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제10항에 있어서, 상기 금속층은 몰리브데넘, 크로뮴, 타이타늄, 주석, 텅스텐, 및 이들의 합금으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제10항에 있어서, 상기 광열변환층은 상기 금속층에 접하는 세라믹층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제12항에 있어서, 상기 세라믹층은 금속 산화물 및 금속 질화물 중 적어도 하나의 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제13항에 있어서, 상기 금속 산화물은 SiOx, AlOx, TiOx, CuOx, NiOx, SnOx, VOx, CrOx, MnOx, FeOx, CoOx, ZnOx, MoOx, WOx, AgOx, IrOx, RuOx, MgOx, InOx, PbOx, 및 PdOx로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제13항에 있어서, 상기 금속 질화물은 SiNx, AlNx, 및 TiNx 중 적어도 하나의 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제7항에 있어서, 상기 무기물층은 SiOx, AlOx, TiOx, CuOx, NiOx, SnOx, VOx, CrOx, MnOx, FeOx, CoOx, ZnOx, MoOx, WOx, AgOx, IrOx, RuOx, MgOx, InOx, PbOx, PdOx, SiNx, AlNx, 및 TiNx로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제7항에 있어서, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트 또는 네거티브 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판
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제7항의 모세관-유도 전사 기판을 준비하는 단계; 상기 준비된 모세관-유도 전사 기판에 발광잉크를 적하하는 단계; 상기 포토레지스트층을 타겟 기판으로 덮는 단계; 및 상기 광열변환층에 광이 도달하도록 상기 베이스 기판 하부에 상기 광을 조사하여, 상기 발광잉크를 상기 타겟 기판에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법
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제18항에 있어서, 상기 발광잉크를 적하하는 단계에서, 상기 발광잉크가 상기 포토레지스트층 상면에 적하되면 상기 적하된 발광잉크는 모세관력에 의해 상기 마이크로 채널로 이동되어 상기 마이크로 채널 내에 안착하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법
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제18항에 있어서, 상기 발광잉크를 적하하는 단계에서, 상기 발광잉크가 상기 소수성 막 상면에 적하되면 상기 적하된 발광잉크는 상기 소수성 막과의 반발력 및 모세관력에 의해 상기 마이크로 채널로 이동되어 상기 마이크로 채널 내에 안착하는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법
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제18항에 있어서, 상기 발광잉크를 적하하는 단계에서, 상기 발광잉크는 상기 모세관-유도 전사 기판의 일측에 적하되어 상기 마이크로 채널 일측 내에 안착하고, 상기 안착한 발광잉크는 모세관력에 의해 상기 마이크로 채널을 따라 상기 마이크로 채널 타측으로 확장되는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법
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제18항에 있어서, 상기 전사하는 단계에서, 상기 광열변환층은 상기 광을 열로 변환하고 상기 변환된 열이 상기 발광잉크를 증발시키는 것을 특징으로 하는, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법
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제18항에 있어서, 상기 광은 플래시 램프, 텅스텐 할로겐 램프, 또는 레이저 램프에 의해 조사되는 것을 특징으로 화는, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법
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