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마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법

  • 기술번호 : KST2019022676
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법은 복수의 마이크로 발광 다이오드를 정렬시켜 복수의 화소를 구비하는 백플레인 기판을 형성하는 단계, 상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계, 상기 백플레인 기판 상에 상기 불량 화소에 대응시킨 개부 영역을 구비한 어레이 마스크를 정렬시키는 단계, 상기 정렬된 어레이 마스크 및 백플레인 기판 상에 근적외선을 제공하는 단계 및 상기 불량 화소에 배치된 마이크로 발광 다이오드를 제거하는 단계를 포함하되, 상기 근적외선은 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에 제공되고, 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에는 석션이 제공된다.
Int. CL H01L 25/075 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC H01L 25/0753(2013.01) H01L 25/0753(2013.01) H01L 25/0753(2013.01)
출원번호/일자 1020170109706 (2017.08.29)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1921111-0000 (2018.11.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.29)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효수 대한민국 인천광역시 연수구
2 신영철 대한민국 인천광역시 연수구
3 고용호 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0838351-77
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0142633-48
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0252349-31
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0252366-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0460350-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0867442-37
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0867454-85
9 등록결정서
Decision to grant
2018.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0754548-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 마이크로 발광 다이오드를 정렬시켜 복수의 화소를 구비하는 백플레인 기판을 형성하는 단계; 상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계;상기 백플레인 기판 상에 상기 불량 화소에 대응시킨 개부 영역을 구비한 어레이 마스크를 정렬시키는 단계; 상기 정렬된 어레이 마스크 및 백플레인 기판 상에 근적외선을 제공하는 단계; 및 상기 불량 화소에 배치된 마이크로 발광 다이오드를 제거하는 단계; 를 포함하되, 상기 근적외선은 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에 제공되고, 상기 불량 화소에 배치된 상기 마이크로 발광 다이오드에는 석션이 제공되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 백플레인 기판은,상기 마이크로 발광 다이오드에 연결된 데이터 배선,상기 데이터 배선에 직교하는 방향에 배치된 게이트 배선, 및상기 데이터 배선과 게이트 배선이 교차 영역에 각각 배치된 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드는, 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩과 기판을 연결하는 단자를 포함하고,상기 단자는 상기 마이크로 발광 다이오드에 연결된 데이터 배선에 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 마이크로 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색을 발광하는 발광 다이오드 칩이 상기 화소에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 근적외선은 상기 단자를 멜팅시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 단자는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 납(Pb), 백금(Pt) 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 재료를 포함하는 것을 특징으로 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 근적외선은 상기 정렬된 어레이 마스크 및 백플레인 기판 전면에 조사하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 근적외선은 상기 개부 영역으로 노출된 마이크로 발광 다이오드에 포커싱시켜 조사하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계에 있어서, 상기 불량 화소는 블랙 스팟으로 표시되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 백플레인 기판 상에 형성된 불량 화소를 검출하는 단계에 있어서, 불량 화소를 검출하는 단계는,상기 화소에 검사선을 형성하고, 상기 검사선을 통해 상기 마이크로 발광 다이오드의 전체를 온/오프시켜 육안으로 검사하거나, 상기 검사선에 전류를 흘려 쇼트가 발생한 영역을 검출하는 단계인 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 어레이 마스크는 상기 복수의 화소에 각각 대응되는 개폐부를 포함하며, 상기 개폐부는,상기 불량 화소가 발생된 영역을 노출시킨 상기 개부 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
12 12
삭제
13 13
제 1항에 있어서,상기 어레이 마스크는 각각 상기 화소에 대응되는 개폐부를 구비하는 것을 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
14 14
제 1항에 있어서,상기 근적외선은 상기 불량 화소에 배치되는 상기 마이크로 발광 다이오드의 온도를 200 내지 300℃ 범위로 상승시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
15 15
제 1항에 있어서,상기 석션은 1mmHg 내지 60mmHg 범위의 흡입력을 상기 마이크로 발광 다이오드에 제공하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
16 16
제 1항에 있어서,상기 석션은,상기 어레이 마스크와 상기 백플레인 기판 사이 공간에 제공하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
17 17
제 1항에 있어서,상기 근적외선으로 상기 마이크로 발광 다이오드의 온도를 상승시킨 이후에, 상기 석션을 제공하여 상기 마이크로 발광 다이오드를 백플레인 기판에서 탈착시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법
18 18
삭제
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