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알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조방법으로서, 에폭시 수지 합성시 형성된 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 출발물질과 하기 화학식 1의 이소시아네이트 알콕시실란을 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 피리딘 및 이미다졸로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 아민류 염기 촉매 존재하에서, 반응시키는 단계를 포함하며, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지에서 [에폭시기]:[알콕시실릴기]의 몰농도비인 n:1은 2:1 내지 10:1이며, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 EEW 증가는, 상기 에폭시 수지 합성시 형성된 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 출발물질의 EEW 값에 비하여, 260/n (n은 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 알콕시실릴기 1 몰에 대한 대한 에폭시기의 몰비로 2 내지 10의 범위이다) 보다 작은,알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 합성시 형성된 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 출발물질은 하기 화학식 (AS) 내지 (IS)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 합성시 형성된 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 출발물질의 히드록시기 1 당량에 대하여, 상기 화학식 1의 이소시아네이트 알콕시실란은 1 당량으로 반응시키는, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 아민류 염기 촉매는 상기 에폭시 수지 합성시 형성된 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 출발물질의 히드록시기 1당량에 대하여 0
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제1항에 있어서, 상기 반응시키는 단계는 90℃ 내지 150℃ 온도에서 수행되는, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응시키는 단계는 72시간 내지 120시간 동안 수행되는, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지는 하기 화학식 (AF) 내지 (IF)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 제조 방법
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알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지로서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지에서 [에폭시기]:[알콕시실릴기]의 몰농도비인 n:1은 2:1 내지 10:1이고, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지는 에폭시 수지 합성시 형성된 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 출발물질로부터 제조되며, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 EEW 증가는, 상기 에폭시 수지 합성시 형성된 히드록시기를 갖는 에폭시 수지 출발물질의 EEW값에 비하여, 260/n (n은 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 알콕시실릴기 1 몰에 대한 대한 에폭시기의 몰비로 2 내지 10의 범위이다) 보다 작은, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지
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삭제
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제8항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지는 하기 화학식 (AF) 내지 (IF)로 나타내어지는, 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지
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제8항 및 제10항 중 어느 한 항의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지, 경화제 및 충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물
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청구항 11의 조성물을 경화시켜서 얻어지는 경화물
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청구항 11의 조성물을 포함하는 전자재료
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제13항에 있어서, 상기 전자재료는 기판, 필름, 프리프레그, 적층판, 배선판, 반도체 장치, 및 패키징 재료로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 전자재료
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