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태양 전지

  • 기술번호 : KST2019022711
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 우수한 특성의 정공 선택층을 갖는 태양전지가 개시된다. 일 예로, 실리콘으로 형성된 벌크 형태의 기판; 상기 기판의 제 1 면에 형성되여 구성되는 선택적 정공층; 및 상기 기판의 제 2 면에 형성되는 선택적 전자층을 포함하고, 상기 선택적 정공층은 5.0[eV] 이상의 일함수 특징을 갖는 재질로서 형성된 태양 전지가 개시된다.
Int. CL H01L 31/074 (2012.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01)
CPC H01L 31/074(2013.01) H01L 31/074(2013.01) H01L 31/074(2013.01) H01L 31/074(2013.01)
출원번호/일자 1020170161763 (2017.11.29)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1936229-0000 (2019.01.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 광주광역시 광산구
2 전기석 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인성암 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1191854-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0440319-28
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0853421-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0853422-52
6 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0816548-30
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번호 청구항
1 1
실리콘으로 형성되고, 제 1 타입의 불순물로 도핑된 벌크 형태의 기판;상기 기판의 제 1 면에 형성되여 구성되는 선택적 정공층;상기 기판의 제 2 면에 형성되는 선택적 전자층; 및상기 선택적 정공층에 대해 제 2 타입의 불순물을 도핑하여 상기 기판을 향하도록 패턴되어 형성된 제 1 전극층; 및상기 제 1 전극층에 대응하여 상기 제 1 전극층의 표면에 형성된 투명한 전면 전극을 포함하고,상기 선택적 정공층은 5
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기판은 n 타입의 실리콘으로 구성된 태양 전지
4 4
제 3 항에 있어서,상기 선택적 정공층은 상기 기판에 대해 정공 선택 접촉을 형성하는 태양 전지
5 5
제 1 항에 있어서,상기 선택적 전자층은 비정질의 실리콘 또는 플루오르화 리튬(LiF)를 포함하여 구성되는 태양 전지
6 6
제 1 항에 있어서,상기 선택적 정공층은 가시광선 영역의 파장대에서 평균 70[%] 이상의 투과율을 갖는 태양 전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 선택적 정공층은 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 에너지기술개발사업 [RCMS]고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발 (1/4)