| 1 |
1
(a) 양극활물질, 제1 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO), 제1 전도성 고분자, 제1 리튬염 및 도전재를 포함하는 양극을 제조하는 단계;(b) 제2 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO), 제2 전도성 고분자 및 제2 리튬염을 포함하는 복합고체전해질층을 제조하는 단계;(c) 상기 양극과 상기 복합고체전해질층을 적층하고, 45℃의 온도에서 0
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 음각 패턴의 형상이 원형, 타원형, 다각형, 마름모형 및 선형 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 음각 패턴의 깊이가 50 내지 500 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,어느 하나의 상기 음각 패턴과 다른 하나의 상기 음각 패턴 간의 간격이 200 내지 600 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 기재의 두께가 20 내지 1,000㎛인 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO)는 각각 독립적으로 화학식 1로 표시되는 알루미늄이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO)인 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 양극이 상기 양극활물질 100 중량부에 대하여, 상기 제1 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO) 1 내지 30 중량부와, 상기 제1 전도성 고분자 20 내지 80 중량부와, 상기 도전재 10 내지 30 중량부를 포함하고, 상기 복합고체전해질층이 상기 제2 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO) 100 중량부에 대하여 상기 전도성 고분자 10 내지 70 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 양극활 물질이 아래 화학식 2로 표시되는 Ni-Co-Mn의 3성분계 리튬금속산화물(NMC)인 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 도전재가 카본블랙, 아세틸렌블랙, 및 케첸블랙 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 제1 리튬염 및 제2 리튬염이 각각 독립적으로 리튬퍼클로레이트(LiClO4), 리튬트리플레이트(LiCF3SO3), 리튬헥사플루오로포스페이트(LiPF6), 리튬테트라플루오로보레이트(LiBF4) 및 리튬트리플루오로메탄설포닐이미드(LiN(CF3SO2)2) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 양각 패턴의 형상이 원형, 타원형, 다각형, 마름모형 및 선형 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 15 |
15
제1항에 있어서, 상기 압력을 조절하여 음각 패턴의 깊이를 제어하는 것을 특징으로 하는 전고체 리튬이차전지의 제조방법
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
(a') 양극활물질, 제1 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO), 제1 전도성 고분자, 제1 리튬염 및 도전재를 포함하는 양극을 제조하는 단계;(b') 제2 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO), 제2 전도성 고분자 및 제2 리튬염을 포함하는 복합고체전해질층을 제조하는 단계;(c') 상기 양극, 상기 양극 상에 복합고체전해질층, 및 상기 복합고체전해질층 상에 리튬 금속을 포함하는 음극을 배치하여 적층체를 제조하는 단계; 및(d') 상기 적층체를 45℃의 온도에서 0
|
