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전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법

  • 기술번호 : KST2019022840
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 박판의 표면 중 홀 가공위치에 대응하여 딤플을 형성하고, 상기 딤플에 피디엠에스-마스킹(PDMS-Masking)을 형성한 후, 금속 박판 중 피디엠에스-마스킹이 형성되지 않은 노출된 부분은 부동태화 처리를 하며, 상기 딤플에서 피디엠에스-마스킹 제거 후, 전해가공으로 상기 딤플에 홀을 형성하면, 언더컷 현상이 현저하게 감소하여, 가공부위 전체의 홀 사이즈 및 언더컷을 균일하게 제어할 수 있고, 전체 가공영역의 홀가공을 균일하게 진행함으로써 가공 정밀도 저하를 막을 수 있는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법을 제공한다.
Int. CL B23H 3/00 (2006.01.01) B23H 9/14 (2006.01.01) B23H 11/00 (2006.01.01)
CPC B23H 3/00(2013.01) B23H 3/00(2013.01) B23H 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020170143967 (2017.10.31)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1972665-0000 (2019.04.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은상 서울특별시 양천구
2 최웅걸 인천광역시 남구
3 김성현 서울특별시 동작구
4 최승건 인천광역시 중구
5 문기창 대전광역시 서구
6 송우재 서울특별시 강남구
7 박태원 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-1080487-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0068306-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
6 등록결정서
Decision to grant
2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0276761-72
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번호 청구항
1 1
a)금속 박판 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계;b)상기 금속 박판의 상면에 형성된 딤플에 마스킹(Masking)을 형성하면서 상기 딤플을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계;c)상기 딤플에 형성된 마스킹(Masking)을 제거하는 단계; 및d)상기 딤플에 제2전해가공을 실시하여, 상기 금속 박판에 홀을 형성하는 단계;를 포함하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 a)단계인 금속 박판 상면 중, 홀 가공위치와 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계는,a-1)금속 박판을 준비하는 단계와;a-2)준비된 금속 박판의 상면에 포토레지스트(Photoresist)를 라미네이팅하는 단계와;a-3)상기 포토레지스트에 리소그래피를 실시하여, 홀 형성위치에 대응하는 지점에 관통공이 형성된 드라이 필름을 형성하는 단계와;a-4)상기 드라이 필름의 관통공을 통해 제1전해가공을 실시하여, 금속 박판의 상면 중, 홀 형성위치에 대응하는 부분에 딤플을 형성하는 단계;를 포함하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 b)단계의 상기 금속 박판의 상면에 형성된 딤플에 피디엠에스-마스킹(PDMS-Masking)을 형성하면서 상기 딤플을 제외한 부분에 부동태화 처리하는 단계는,b-1)상기 드라이 필름의 관통홀에 피디엠에스(PDMS: polydimethylsiloxane)을 충진하여 마스킹(Masking)을 형성하는 단계와; b-2)상기 금속 박판의 상면에 형성된 드라이 필름을 제거하는 단계와;b-3)상기 드라이 필름을 제거하면서 노출된 금속 박판의 상면을 부동태화 처리하는 단계를 포함하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법
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청구항 3에 있어서, 상기 부동태화 처리는상기 드라이 필름이 제거된 금속 박판의 일측에 전압장치의 양극을 연결하고, 산성용액에 침지시키면서 상기 전압장치의 음극을 메탈 재질로 이루어진 전극에 연결한 후, 전류를 흘려 처리하는 것을 특징으로 하는 전해가공을 이용한 금속 박판 홀 가공방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 인하대학교 산학협력단 도약연구 초정밀 3차원 마이크로 패턴형상 및 초경면 구현을 위한 전기/화학/기계융합공정