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비정질 게르마늄층 상에 금속 미세입자를 증착하고, 상기 금속 미세입자가 증착된 상기 비정질 게르마늄층을 식각하여 복수의 게르마늄(Ge) 나노 구조가 형성된 제1면과, 상기 제1면에 반대하는 제2면을 통해 입사된 광을 흡수하여 열을 발생시키는 상기 제2면을 포함하는, 광흡수층; 및상기 광흡수층의 상기 제1면 상에 위치하고, 상기 광흡수층에서 발생된 열을 전달받고, 전달된 열에 의한 열탄성 팽창에 따라 초음파를 발생시키는 제1열탄성층을 포함하는 초음파 발생 소자
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제1항에 있어서, 상기 복수의 게르마늄 나노 구조는,상기 제1면으로부터 상기 제2면을 향하는 방향으로 불규칙한 두께를 갖는, 초음파 발생 소자
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제1항에 있어서, 상기 복수의 게르마늄 나노 구조는,상기 제1면에 평행한 방향으로 불규칙한 폭을 갖는, 초음파 발생 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1열탄성층은, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)으로 이루어진, 초음파 발생 소자
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제1항에 있어서, 상기 초음파 발생 소자는,상기 광흡수층의 상기 제2면 상에 위치하고, 상기 광흡수층에서 발생된 열을 전달받고, 전달된 열에 의한 열탄성 팽창에 따라 초음파를 발생시키는 제2열탄성층을 더 포함하는, 초음파 발생 소자
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제5항에 있어서, 상기 제2열탄성층은, 상기 제1열탄성층과 동일한 물질로 이루어지는, 초음파 발생 소자
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제1항에 있어서,상기 광흡수층의 광 흡수계수는 상기 제1열탄성층의 광 흡수계수보다 큰, 초음파 발생 소자
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제1항에 있어서,상기 광흡수층의 열팽창 계수는 상기 제1열탄성층의 열팽창 계수보다 작은, 초음파 발생 소자
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제1항에 있어서,상기 광흡수층은 기판 위에 증착되어 형성되며, 상기 기판은,석영(quartz), 유리, 사파이어(sapphire), 용융 실리카(fused silica), 및 폴리머(polymer) 중에서 적어도 하나를 포함하는, 초음파 발생 소자
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기판 상에 복수의 게르마늄(Ge) 나노 구조를 갖는 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 제1열탄성층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광흡수층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 비정질(amorphous) 게르마늄층을 형성하는 단계; 상기 비정질 게르마늄층 상에 금속 미세입자를 증착하는 단계; 및 상기 금속 미세입자가 증착된 비정질 게르마늄층을 식각하여 일면에 상기 복수의 게르마늄 나노 구조를 형성하는 단계를 포함하는, 초음파 발생 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 금속 미세입자를 증착하는 단계는,상기 비정질 게르마늄층을 형성한 후, 상기 비정질 게르마늄층 상에 상기 금속 미세입자를 용질로 포함하는 용액을 도포하는 단계; 및상기 용액이 도포된 상기 비정질 게르마늄층을 건조하여 상기 용액의 용매를 제거하는 단계를 포함하는, 초음파 발생 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 복수의 게르마늄 나노 구조를 형성하는 단계는,탈이온수(deionized water)를 이용하여 상기 금속 미세입자가 증착된 비정질 게르마늄층을 식각하는, 초음파 발생 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 제1열탄성층을 형성하는 단계는,상기 광흡수층의 일면을 덮도록 폴리디메틸실록산을 스핀 코팅(spin coating)하여 상기 제1열탄성층을 형성하는, 초음파 발생 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 광흡수층을 형성하는 단계 전에, 상기 기판 상에 제2열탄성층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 광흡수층을 형성하는 단계는, 상기 제2열탄성층 상에 상기 복수의 게르마늄 나노 구조를 포함하는 상기 광흡수층을 형성하는, 초음파 발생 소자의 제조 방법
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