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투명 전도막(Transparent Conductive Oxide) 상에 산화막을 형성하는 단계;레이저 스크라이빙(laser scribing)을 이용하여 전극을 형성할 위치에서 상기 투명 전도막의 일부 및 상기 산화막을 식각하는 단계;상기 식각된 빈 공간에 전극을 형성하는 단계; 및상기 산화막을 제거하는 단계를 포함하고,상기 전극을 형성하는 단계는 제 1 전극으로써 전극 씨드(seed)를 형성하고, 상기 전극 씨드 위에 제 2 전극 및 제 3 전극을 차례로 형성하며,상기 투명 전도막의 일부를 식각할 때 상기 투명 전도막에 개구가 생기지 아니하도록 두께 방향으로 일부만 식각하고, 식각된 빈 공간에 전극을 형성함으로써 상기 투명 전도막과 상기 전극 간의 밀착력이 향상되는,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화막의 두께는 10nm 이하인,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 Ni이 이용되고, 상기 제 2 전극은 Cu가 이용되며, 상기 제 3 전극은 Sn이 이용되는,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전도막으로 ITO, AZO, BZO, FTO 중 어느 하나가 이용되는,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
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전면 및 후면에 투명 전도막이 형성되어 있는 실리콘 이종접합 태양전지를 준비하는 단계;상기 실리콘 이종접합 태양전지의 투명 전도막 상에 산화막을 형성하는 단계;레이저 스크라이빙을 이용하여 전극을 형성할 위치에서 상기 투명 전도막의 일부 및 상기 산화막을 식각하는 단계;상기 식각된 빈 공간에 전극을 형성하는 단계; 및상기 산화막을 제거하는 단계를 포함하고,상기 전극을 형성하는 단계는 제 1 전극으로써 전극 씨드(seed)를 형성하고, 상기 전극 씨드 위에 제 2 전극 및 제 3 전극을 차례로 형성하며,상기 투명 전도막의 일부를 식각할 때 상기 투명 전도막에 개구가 생기지 아니하도록 두께 방향으로 일부만 식각하고, 식각된 빈 공간에 전극을 형성함으로써 상기 투명 전도막과 상기 전극 간의 밀착력이 향상되는,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
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제 6 항에 있어서,상기 산화막의 두께는 10nm 이하인,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극은 Ni이 이용되고, 상기 제 2 전극은 Cu가 이용되며, 상기 제 3 전극은 Sn이 이용되는,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
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제 6 항에 있어서,상기 투명 전도막으로 ITO, AZO, BZO, FTO 중 어느 하나가 이용되는,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
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