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투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법 및 실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2019023065
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법에 관한 것이고, 또한 본 발명은 실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법은, 투명 전도막(Transparent Conductive Oxide) 상에 산화막을 형성하는 단계; 레이저 스크라이빙(laser scribing)을 이용하여 전극을 형성할 위치에서 상기 투명 전도막의 일부 및 상기 산화막을 식각하는 단계; 상기 식각된 빈 공간에 전극을 형성하는 계; 및 상기 산화막을 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/068 (2006.01.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020160176342 (2016.12.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1831533-0000 (2018.02.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이영석 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김상호 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 오동현 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 박진주 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1260502-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0015154-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0683298-00
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1162204-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-1162203-30
8 등록결정서
Decision to grant
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0104653-71
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전도막(Transparent Conductive Oxide) 상에 산화막을 형성하는 단계;레이저 스크라이빙(laser scribing)을 이용하여 전극을 형성할 위치에서 상기 투명 전도막의 일부 및 상기 산화막을 식각하는 단계;상기 식각된 빈 공간에 전극을 형성하는 단계; 및상기 산화막을 제거하는 단계를 포함하고,상기 전극을 형성하는 단계는 제 1 전극으로써 전극 씨드(seed)를 형성하고, 상기 전극 씨드 위에 제 2 전극 및 제 3 전극을 차례로 형성하며,상기 투명 전도막의 일부를 식각할 때 상기 투명 전도막에 개구가 생기지 아니하도록 두께 방향으로 일부만 식각하고, 식각된 빈 공간에 전극을 형성함으로써 상기 투명 전도막과 상기 전극 간의 밀착력이 향상되는,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화막의 두께는 10nm 이하인,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 Ni이 이용되고, 상기 제 2 전극은 Cu가 이용되며, 상기 제 3 전극은 Sn이 이용되는,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 투명 전도막으로 ITO, AZO, BZO, FTO 중 어느 하나가 이용되는,투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법
6 6
전면 및 후면에 투명 전도막이 형성되어 있는 실리콘 이종접합 태양전지를 준비하는 단계;상기 실리콘 이종접합 태양전지의 투명 전도막 상에 산화막을 형성하는 단계;레이저 스크라이빙을 이용하여 전극을 형성할 위치에서 상기 투명 전도막의 일부 및 상기 산화막을 식각하는 단계;상기 식각된 빈 공간에 전극을 형성하는 단계; 및상기 산화막을 제거하는 단계를 포함하고,상기 전극을 형성하는 단계는 제 1 전극으로써 전극 씨드(seed)를 형성하고, 상기 전극 씨드 위에 제 2 전극 및 제 3 전극을 차례로 형성하며,상기 투명 전도막의 일부를 식각할 때 상기 투명 전도막에 개구가 생기지 아니하도록 두께 방향으로 일부만 식각하고, 식각된 빈 공간에 전극을 형성함으로써 상기 투명 전도막과 상기 전극 간의 밀착력이 향상되는,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 산화막의 두께는 10nm 이하인,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
8 8
삭제
9 9
제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극은 Ni이 이용되고, 상기 제 2 전극은 Cu가 이용되며, 상기 제 3 전극은 Sn이 이용되는,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
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제 6 항에 있어서,상기 투명 전도막으로 ITO, AZO, BZO, FTO 중 어느 하나가 이용되는,실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 에너지자원기술개발사업 면적 100cm²급 초고효율 실리콘 웨이퍼 기반 태양전지 기술개발
2 산업통상자원부 성균관대학교 산학협력단 에너지기술개발사업 태양광산업 원천기술 개발 및 중소,중견기업 경쟁력 제고를 위한 통합형기술개발 플랫폼 구축