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기판; 및N+M(N 및 M은 각각 양의 정수)개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어진 제1 영역 및 상기 제1 영역의 상기 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로부터 연장된 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역을 구비하고 상기 기판 상에 배치된 전이금속 디칼코게나이드 박막을 포함하고,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 각각 적어도 둘 이상 구비하는 것을 특징으로 하며,상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 헤테로 접합이 형성된,반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 N개의 분자층은 a+b(a 및 b는 각각 양의 정수)개의 분자층으로 이루어지고,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 N+M개의 분자층으로 이루어진 제1 영역 및 상기 N개의 분자층으로 이루어진 제2 영역 중 적어도 어느 하나의 a개의 분자층으로부터 연장된 a개의 분자층으로 이루어지고 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 어느 하나와 인접한 제3 영역을 더 포함하며,상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 어느 하나와 상기 제3 영역 사이에 헤테로 접합이 형성된,반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역을 각각 적어도 둘 이상 구비하는 것을 특징으로 하는,반도체 소자
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제1항에 있어서,전이금속 디칼코게나이드 분자는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 카드뮴(Cd), 및 아연(Zn) 중 어느 하나의 전이금속 원자 하나 및 셀레늄(Se), 황(S), 및 텔루륨(Te) 중 어느 하나의 칼코겐(chalcogen) 원자 두 개가 결합된 것을 특징으로 하는,반도체 소자
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기판;상기 기판 상에 배치되고, N+M(N 및 M은 각각 양의 정수)개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어진 제1 영역 및 상기 제1 영역의 상기 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로부터 연장된 N개의 전이금속 디칼코게나이드 분자층으로 이루어지고 상기 제1영역과 인접한 제2 영역을 구비하며, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 헤테로 접합이 형성된 전이금속 디칼코게나이드 박막; 및상기 전이금속 디칼코게나이드 상에 배치된 전극을 포함하고,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 각각 적어도 둘 이상 구비하는 것을 특징으로 하는,광전 소자
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제5항에 있어서,상기 N개의 분자층은 a+b(a 및 b는 각각 양의 정수)개의 분자층으로 이루어지고,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 N+M개의 분자층으로 이루어진 제1 영역 및 상기 N개의 분자층으로 이루어진 제2 영역 중 적어도 어느 하나의 a개의 분자층으로부터 연장된 a개의 분자층으로 이루어지고 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 어느 하나와 인접한 제3 영역을 더 포함하며,상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 적어도 어느 하나와 상기 제3 영역 사이에 헤테로 접합이 형성된,광전 소자
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제6항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역을 각각 적어도 둘 이상 구비하는 것을 특징으로 하는,광전 소자
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제5항에 있어서,전이금속 디칼코게나이드 분자는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 카드뮴(Cd), 및 아연(Zn) 중 어느 하나의 전이금속 원자 하나 및 셀레늄(Se), 황(S), 및 텔루륨(Te) 중 어느 하나의 칼코겐 원자 두 개가 결합된 것을 특징으로 하는,광전 소자
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제5항에 있어서,상기 광전 소자는 포토디텍터(photodetector), 포토다이오드(photodiode), 및 포토트랜지스터(phototransitor) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,광전 소자
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제1 마스크 패턴이 형성된 N+M(N 및 M은 양의 정수)개의 분자층으로 이루어진 전이금속 디칼코게나이드 박막을 원자층 식각하는 (a) 단계를 포함하고,상기 원자층 식각은 화학적 흡착 단계 및 물리적 탈착 단계가 하나의 사이클로 구성되어 전이금속 디칼코게나이드 박막에서 1개의 분자층을 식각하며,상기 (a) 단계에서 1개의 분자층을 식각하는 사이클을 M번 반복 수행하여, N+M개의 분자층으로 이루어진 제1 영역 및 상기 제1 영역의 상기 N개의 분자층으로부터 연장된 N개의 분자층으로 이루어지고 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역을 구비하는 전이금속 디칼코게나이드 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는,전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 화학적 흡착 단계에서 화학적 흡착은 라디칼을 이용하여 수행하고,상기 물리적 탈착 단계에서 물리적 탈착은 반응성 화합물을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는,전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 (a) 단계 이후에,상기 제2 영역을 구비하는 전이금속 디칼코게나이드 박막 상에 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및제2 마스크 패턴이 형성된 상태에서, 1개의 분자층을 식각하는 사이클을 K(K는 양의 정수)번 반복 수행하여 상기 제2 영역을 원자층 식각하여 N-K(N-K는 양의 정수)개의 분자층으로 이루어진 제3 영역을 구비하는 전이금속 디칼코게나이드 박막을 형성하는 (b) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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