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단분자 화합물 및 상기 단분자 화합물에 흡착된 전이금속 산화물 나노입자를 포함하는 박막이 흡착된 기판; 및 상기 박막 내부에 스퍼터링에 의해서 도입된 금속 입자를 포함하는 에너지 저장 소자용 전극
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제1항에 있어서,상기 전이금속 산화물 나노입자는 Fe3O4, MnO2, TiO2, BaTiO3 및 RuO2로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 나노입자인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극
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제1항에 있어서,상기 금속 입자는 Pt, Au, Ag, Al, Cu 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 입자인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극
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제1항에 있어서,상기 박막은 2층 내지 20층으로 다중 적층된 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극
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제1항에 있어서,상기 박막은 0
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제1항에 있어서,상기 기판은 ITO, 금, 백금, 은, 구리, 니켈 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택된 재질의 기판인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극
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제1항에 있어서,상기 단분자 화합물은 트리스(2-아미노에틸)아민 (tris(2-aminoehylamine), TREN), 트리메스산 (trimesic acid), 아코니트산 (aconitic acid), 나프탈렌트리술포네이트 (naphthalene trisulfonate) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극
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8
a) 기판 상에 유기 용매 중에 분산된 단분자 화합물을 흡착시키는 단계;b) 유기산과 전이금속 산화물 나노입자를 반응시킴으로써 유기산-전이금속 산화물 착화합물 나노입자를 제조하는 단계;c) 상기 유기산-전이금속 산화물 착화합물 나노입자를 무극성 용매에 분산시킨 다음, 상기 단분자 화합물과 반응시킴으로써, 상기 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 및d) 스퍼터링을 통해서 금속 입자를 상기 박막 내부로 도입하는 단계를 포함하고, 상기 c) 단계에서 형성된 박막은 단분자 화합물 및 상기 단분자 화합물에 흡착된 전이금속 산화물 나노입자를 포함하는 박막인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 전이금속 산화물 나노입자는 Fe3O4, MnO2, TiO2, BaTiO3 및 RuO2로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 나노입자인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속 입자는 Pt, Au, Ag, Al, Cu 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 입자인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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11
제8항에 있어서,상기 박막은 2층 내지 20층으로 층상조립법 (layer by layer assembly, LbL assembly)에 의해서 다중 적층되는 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 박막은 0
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제8항에 있어서,상기 기판은 ITO, 금, 백금, 은, 구리, 니켈 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택된 재질의 기판인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 단분자 화합물은 트리스(2-아미노에틸)아민 (tris(2-aminoehylamine), TREN), 트리메스산 (trimesic acid), 아코니트산 (aconitic acid), 나프탈렌트리술포네이트 (naphthalene trisulfonate) 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 유기산은 올레산, 팔미틱산 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 무극성 용매는 톨루엔, 헥산, 클로로포름 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 스퍼터링은 25 ℃ 내지 200 ℃의 온도에서 10초 내지 1분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 에너지 저장 소자용 전극의 제조방법
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