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p-type 반도체층 구조물 및 이를 포함하는 자외선 발광 소자

  • 기술번호 : KST2019023336
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 p-type 반도체층 구조물은, p-type 반도체층, 상기 p-type 반도체층 상에 구비되며, 상호 교차하는 금속 패턴들 및 상기 금속 패턴들과 상기 p-type 반도체층 사이에 상기 금속 패턴들을 따라 개재되며 상기 금속 패턴들과 오믹 컨택을 형성하는 오믹 컨택 패턴들을 구비하는 전극 구조물 및 상기 전극 구조물을 덮도록 구비된 광반사 구조물을 포함한다. 이로써, 오믹 컨택 특성 및 광 추출 효율이 개선될 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020160068320 (2016.06.01)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1803647-0000 (2017.11.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김대현 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0530452-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0059450-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0284362-21
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0588876-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0676201-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0676172-45
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0817825-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p-type 반도체층;상기 p-type 반도체층 상에 구비되며, 상호 교차하는 금속 패턴들 및 상기 금속 패턴들과 상기 p-type 반도체층 사이에 상기 금속 패턴들을 따라 개재되며 단일층 구조를 가지며 상기 금속 패턴들과 오믹 컨택을 형성하는 오믹 컨택 패턴들을 구비하는 전극 구조물; 및 상기 금속 패턴들과 직접 컨택하며, 상기 전극 구조물을 덮도록 구비된 광반사 구조물을 포함하는 p-type 반도체층 구조물
2 2
제1항에 있어서, 상기 전극 구조물은 전체적으로 평면적으로 볼 때 메쉬 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 p-type 반도체층 구조물
3 3
제1항에 있어서, 상기 p-type 반도체층은 p-type AlGaN 물질로 이루어지고, 상기 오믹 컨택 패턴은 p-type (In)GaN 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 p-type 반도체층 구조물
4 4
제1항에 있어서, 상기 광반사 구조물은 상기 p-type 반도체층 상에 상기 전극 구조물들 사이에 형성된 투명 절연막 패턴들 및 상기 전극 구조물과 상기 절연막 패턴들을 덮도록 형성된 금속 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 p-type 반도체층 구조물
5 5
제4항에 있어서, 상기 절연막 패턴들은 1
6 6
기판 상에 형성되며, n-type 반도체층, 활성층 및 p-type 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 p-type 반도체층 상에 형성되며, 상호 교차하는 금속 패턴들 및 상기 금속 패턴들과 상기 p-type 반도체층 사이에 상기 금속 패턴들을 따라 개재되며 단일층 구조를 가지며 상기 금속 패턴들과 오믹 컨택을 형성하는 오믹 컨택 패턴들을 구비하는 전극 구조물들; 및 상기 금속 패턴들과 직접 컨택하며, 상기 전극 구조물을 덮도록 구비된 광반사 구조물을 포함하는 자외선 발광 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 전극 구조물은 전체적으로 평면적으로 볼 때 메쉬 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 p-type 반도체층은 p-type AlGaN 물질로 이루어지고, 상기 오믹 컨택 패턴은 p-type (In)GaN 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자외선 발광 소자
9 9
제6항에 있어서, 상기 광반사 구조물은 상기 p-type 반도체층 상에 상기 전극 구조물 사이에 형성되며 1
10 10
제6항에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 활성층 및 상기 p-type 반도체층 사이에 개재된 전자 차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.