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기판;상기 기판 상에 적층된 n형 GaN 층;상기 n형 GaN 층 상에 적층된 활성층;상기 활성층에 적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 적층된 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층;상기 전류 퍼짐층 상에 서로 이격되어 배치된 복수의 상부 전류 주입 전극들;상기 상부 전류 주입 전극들을 덮도록 연장되는 상부 전극 패턴; 및상기 상부 전극 패턴과 전기적으로 연결하는 상부 전극 패드를 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고,상기 제1 상부 전극 패턴은 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고,상기 상부 전류 주입 전극들은 Ti, Al, Cr, Au, Ti/Al, Cr/Al/Ti/Au, 또는 Cr/Ni/Au 인 것을 특징을 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 전류 퍼짐층의 두께는 10 내지 50 nm이고,상기 제1 상부 전극 패턴의 두께는 15 내지 20 nm이고,상기 제2 상부 전극 패턴의 두께는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 전류 퍼짐층 및 상기 제2 상부 전극 패턴은 ITO(Indium tin oxide), ZnO, Sn2O3, TiO2, 및 IGZO(Indium gallium zinc oxide ) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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기판;상기 기판 상에 적층된 n형 GaN 층;상기 n형 GaN 층 상에 적층된 활성층;상기 활성층에 적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 적층된 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층;상기 전류 퍼짐층 상에 서로 이격되어 배치된 복수의 상부 전류 주입 전극들;상기 상부 전류 주입 전극들을 덮도록 연장되는 상부 전극 패턴; 및상기 상부 전극 패턴과 전기적으로 연결하는 상부 전극 패드를 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고,상기 제1 상부 전극 패턴은 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고,상기 상부 전극 패드의 하부에 배치되는 보조 상부 전류 주입 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 상부 전극 패드와 상기 전류 퍼짐층 사이에 배치된 전류 블로킹층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 n형 GaN 층을 노출하도록 식각된 영역에 상기 n형 GaN층에 접촉하여 배치된 하부 전극 패턴; 및상기 하부 전극 패턴와 전기적으로 접촉하도록 배치된 하부 전극 패드를 더 포함하고,상기 하부 전극 패턴은:상기 n형 GaN층 상에 배치된 제1 하부 전극 패턴;상기 제1 하부 전극 패턴 상에 배치된 제2 하부 전극 패턴; 및상기 제2 하부 전극 패턴 상에 배치된 제3 하부 전극 패턴을 포함하고,상기 제2 하부 전극 패턴은 은 또는 은 합금 박막이고,상기 제1 하부 전극 패턴 및 상기 제3 하부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막인 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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제7 항에 있어서,상기 제1 하부 전극 패턴과 상기 제2 하부 전극 패턴 사이에 서로 이격되어 배치된 복수의 하부 전류 주입 전극들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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기판;상기 기판 상에 적층된 n형 GaN 층;상기 n형 GaN 층 상에 적층된 활성층;상기 활성층에 적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 적층된 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층;상기 전류 퍼짐층 상에 서로 이격되어 배치된 복수의 상부 전류 주입 전극들;상기 상부 전류 주입 전극들을 덮도록 연장되는 상부 전극 패턴; 및상기 상부 전극 패턴과 전기적으로 연결하는 상부 전극 패드를 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고,상기 제1 상부 전극 패턴은 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고,상기 n형 GaN 층을 노출하도록 식각된 영역에 상기 n형 GaN층에 접촉하여 배치된 하부 전극 패턴; 및상기 하부 전극 패턴와 전기적으로 접촉하도록 배치된 하부 전극 패드를 더 포함하고,상기 하부 전극 패턴은:상기 n형 GaN층 상에 배치된 제1 하부 전극 패턴;상기 제1 하부 전극 패턴 상에 배치된 제2 하부 전극 패턴; 및상기 제2 하부 전극 패턴 상에 배치된 제3 하부 전극 패턴을 포함하고,상기 제2 하부 전극 패턴은 은 또는 은 합금 박막이고,상기 제1 하부 전극 패턴 및 상기 제3 하부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막이고,상기 하부 전극 패턴과 상기 노출된 n형 GaN층 사이에 배치된 오믹 접합 패턴을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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p 전극;상기 p 전극 상에 배치된 p형 GaN 층;상기 p형 GaN층 상에 배치된 활성층;상기 활성층 상에 배치된 n형 GaN 층;상기 n 형 GaN층 상에 배치되고 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층;상기 전류 퍼짐층 상에 서로 이격되어 배치된 복수의 상부 전류 주입 전극들;상기 상부 전류 주입 전극들을 덮도록 연장되는 상부 전극 패턴; 및상기 상부 전극 패턴과 전기적으로 연결하는 상부 전극 패드를 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고,상기 제1 상부 전극 패턴은 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고,상기 상부 전류 주입 전극들은 Ti, Al, Cr, Au, Ti/Al, Cr/Al/Ti/Au, 또는 Cr/Ni/Au 구조인 것을 특징을 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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제10 항에 있어서,상기 전류 퍼짐층의 두께는 10 내지 50 nm이고,상기 제1 상부 전극 패턴의 두께는 15 내지 20 nm이고,상기 제2 상부 전극 패턴의 두께는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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제10 항에 있어서,상기 전류 퍼짐층 및 상기 제2 상부 전극 패턴은 ITO(Indium tin oxide), ZnO, Sn2O3, TiO2, 및 IGZO(Indium gallium zinc oxide ) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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p 전극;상기 p 전극 상에 배치된 p형 GaN 층;상기 p형 GaN층 상에 배치된 활성층;상기 활성층 상에 배치된 n형 GaN 층;상기 n 형 GaN층 상에 배치되고 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층;상기 전류 퍼짐층 상에 서로 이격되어 배치된 복수의 상부 전류 주입 전극들;상기 상부 전류 주입 전극들을 덮도록 연장되는 상부 전극 패턴; 및상기 상부 전극 패턴과 전기적으로 연결하는 상부 전극 패드를 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고,상기 제1 상부 전극 패턴은 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고,상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고,상기 상부 전극 패드의 하부에 배치되는 보조 상부 전류 주입 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 발광 다이오드 소자
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