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p 전극으로 동작하는 도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 배치된 p형 GaN층;상기 p형 GaN층 상에 배치되는 활성층;상기 활성층 상에 배치되는 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층 상에 배치되는 n 전극 패턴;상기 n형 GaN층에 형성된 복수의 홀들을 채우는 금속산화물 구조체; 및상기 홀들의 하부면에 배치되어 상기 금속산화물 구조체의 결정 성장의 씨앗으로 동작하는 씨앗층을 포함하고,상기 홀들의 내측벽에 배치된 측벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 측벽은 금속 또는 금속 합금이고,상기 금속산화물 구조체의 굴절률은 상기 n형 GaN층의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 측벽은 유전체이고,상기 금속산화물 구조체의 굴절률은 상기 n형 GaN층의 굴절률보다 작고,상기 측벽의 굴절률은 상기 금속산화물 구조체의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 구조체는 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화티탄(TiO2), 산화크롬(Cr2O), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐주석아연(IZTO), 산화인듐(In2O3), 및 산화주석(SnO2) 중에서 선택되는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀들 깊이(D)와 지름(W)은 D 003e# W/4의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀들 지름(W)은 W/λ 003e# 2
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제 1 항에 있어서,상기 홀들의 깊이는 200 nm 내지 3 μm 인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀들의 지름(W)은 300 nm 내지 4 μm 인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자
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단결정 성장 기판 상에 버퍼층, n형 GaN층, 활성층, 및 p형 GaN층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 p형 GaN층 상에 금속 반사층 및 도전성 기판을 순차적으로 형성하는 단계;레이저 리프트-오프 공정을 이용하여 상기 단결정 성장 기판을 분리하고, 상기 버퍼층을 제거하는 단계;상기 n형 GaN층을 패터닝하여 홀들을 형성하는 단계;상기 홀들의 내측벽에 측벽을 형성하는 단계;상기 홀들의 하부면에 씨앗층을 형성하는 단계;상기 씨앗층 상에 금속산화물 구조체를 결정 성장시키는 단계; 및상기 n형 GaN층 상에 n 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속산화물 구조체는 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화티탄(TiO2), 산화크롬(Cr2O), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐주석아연(IZTO), 산화인듐(In2O3), 및 산화주석(SnO2) 중에서 선택되는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속산화물 구조체는 수열합성법에 의하여 성장되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 측벽은 금속 또는 금속 합금이고,상기 금속산화물 구조체의 굴절률은 상기 n형 GaN층의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 측벽은 유전체이고,상기 금속산화물 구조체의 굴절률은 상기 n형 GaN층의 굴절률보다 작고,상기 측벽의 굴절률은 상기 금속산화물 구조체의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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