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도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 배치된 금속 반사층;상기 금속 반사층 상에 배치된 투명 절연층;상기 투명 절연층에 형성된 복수의 관통홀의 하부에 배치된 n 오믹 콘택 플러그;상기 관통홀의 상부에 배치된 n형 갈륨 아세나이드(GaAs) 플러그;상기 투명 절연층 상에 배치된 n 클래딩 층;상기 n 클래딩 층 상에 배치된 활성층;상기 활성층 상에 배치된 p 클래딩 층;상기 p 클래딩 층 상에 배치된 p형 GaP 창문층;상기 p형 GaP 창문층 상에 배치된 p 오믹 콘택 패턴; 상기 p 오믹 콘택 패턴 상에 배치된 투명 전도성 금속 산화막 패턴; 및상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴 상에 배치된 p 전극 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 p 오믹 콘택 패턴의 두께는 20 nm 이하이고,상기 p 오믹 콘택 패턴은 Au, AuBe, Ni, NiZn, NiBe, Pd, PdZn, 및 PdBe 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴은 ITO(Indium tin oxide), ZnO, AZO(Al-ZnO), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), 및 IGZO(In-Ga ZnO) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 p 오믹 콘택 패턴은 10 nm의 Au이고,상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴은 40 nm의 ITO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 p 오믹 콘택 패턴은 10 nm의 AuBe이고,상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴은 40 nm의 IGZO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
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제1 항에 있어서,상기 n 클래딩 층은 차례로 적층된 n형 AlGaInP 층과 n형 AlInP층을 포함하고,상기 p 클래딩 층은 차례로 적층된 p형 AlInP층과 p형 AlGaInP 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자
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GaAs 기판 상에 차례로 제1 n-GaAs층, n-GaInP층, 제2 n-GaAs층, n 클래딩층, 활성층, p 클래딩층, 및 p형 GaP 층을 적층하는 단계;상기 p형 GaP 층 상에 p 오믹 콘택 패턴 및 투명 전도성 금속 산화막 패턴을 형성하는 단계;상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴 상에 p 전극 패드를 형성하는 단계;상기 p 전극 패드 상에 임시 기판을 결합시킨 후, 상기 GaAs 기판, 상기 제1 n-GaAs층, 및 n-GaInP층을 제거하는 단계;상기 제2 n-GaAs층을 패터닝하여 n형 갈륨 아세나이드(GaAs) 플러그를 형성하는 단계;상기 n 클래딩층 및 상기 n형 갈륨 아세나이드(GaAs) 플러그 상에 투명 절연층을 형성하고 상기 투명 절연층을 패터닝하여 상기 n형 갈륨 아세나이드(GaAs) 플러그와 정렬된 n 오믹 콘택 플러그를 형성하는 단계; 상기 투명 절연층 및 상기 n 오믹 콘택 플러그 상에 금속 반사층을 형성하고 상기 금속 반사층 상에 도전성 기판을 부착하는 단계; 및상기 임시 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 p 오믹 콘택 패턴 및 투명 전도성 금속 산화막 패턴이 형성된 기판을 섭씨 300도 내지 섭씨 400도에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 p 오믹 콘택 패턴의 두께는 20 nm 이하이고,상기 p 오믹 콘택 패턴은 Au, AuBe, Ni, NiZn, NiBe, Pd, PdZn, 및 PdBe 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴은 ITO(Indium tin oxide), ZnO, AZO(Al-ZnO), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), 및 IGZO(In-Ga ZnO) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 p 오믹 콘택 패턴은 10 nm의 Au이고,상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴은 40 nm의 ITO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 p 오믹 콘택 패턴은 10 nm의 AuBe이고,상기 투명 전도성 금속 산화막 패턴은 40 nm의 IGZO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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11
제6 항에 있어서,상기 n 클래딩 층은 차례로 적층된 n형 AlGaInP 층과 n형 AlInP층을 포함하고,상기 p 클래딩 층은 차례로 적층된 p형 AlInP층과 p형 AlGaInP 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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