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기판;상기 기판의 상부로부터 이격 배치되는 상부 전극층;금속층, 상기 금속층의 상부 및 하부 각각에 하나씩 형성된 한 쌍의 산화물층을 포함하고, 상기 기판의 상부에 배치되는 하부 전극층; 및상기 하부 전극층과 상기 상부 전극층 사이에 배치되고, 페로브스카이트형 구조체로 형성된 압전층;을 포함하고,상기 압전층과 상기 상부 전극층 사이에 PEDOT:PSS 유기물로 형성된 유기물층, 또는 산화물층;을 더 포함하며,상기 금속층은,상기 한 쌍의 산화물층 사이에서 분산 배치되는 다수의 금속 나노구조체; 및상기 금속 나노구조체의 외면에 배치되는 다수의 산화물 입자를 포함하는 압전하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu, Pt, 및 Al로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로 이루어지는 압전 하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 산화물층은 Ti-O, Zn-O, Ni-O, Mo-O, V-O, W-O, Mg-O, Si-O, Sn-O, Ta-O, Hf-O, Al-O, Ni-In-O, Zn-In-O, Zn-Si-O, Zn-Al-O, Zn-Mg-O, Cu-In-O, Mo-In-O, Ge-In-O, Si-In-O, Sn-In-O, Mn-In-O, Mg-In-O, Ga-In-O, Al-In-O, B-In-O, V-In-O, In-O-Cl, In-O-F, W-In-O, Ta-In-O, Hf-In-O, Re-In-O, Mg-Sn-O, Ga-Zn-In-O, Sr-V-O, Ca-V-O, 및 Ga-Sn-Zn-In-O로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물로 이루어지는 압전 하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 산화물층은 우르짜이트 구조를 갖는 산화물로 이루어진 압전 하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 한 쌍의 산화물층은 각각 서로 다른 산화물층인 압전 하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 글라스 (glass), 실리콘 (Si), 폴리에테르술폰 (PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트 (PC), 폴리이미드 (PI), 및 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어지는 압전 하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 하부 전극층과 상기 압전층 사이에 배치되고, P3HT로 형성된 패시베이션층;을 더 포함하는 압전 하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 압전층과 상기 상부 전극층 사이에 배치되고, P3HT로 형성된 패시베이션층;을 더 포함하는 압전 하베스팅 소자
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청구항 1에 있어서,상기 한 쌍의 산화물층 중 상기 금속층의 상부에 배치되는 상부산화물층에 일단이 연결되고, 상기 압전층에 타단이 연결되는 다수의 나노로드;를 더 포함하는 압전 하베스팅 소자
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청구항 11에 있어서,상기 나노로드와 상기 상부산화물층은 동일한 소재로 형성되는 압전 하베스팅 소자
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