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전극 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019023388
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극 구조물의 형성 방법에 있어서, 제1형 도펀트로 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층 상에 형성된 투명 도전막 상부에 금속 나노 잉크를 이용하는 잉크젯 인쇄 공정을 통하여 제1 금속 패턴을 형성한다. 이후, 상기 제1 금속 패턴을 덮도록, 도전성 페이스트를 이용한 금속 페이스트층을 형성한 후, 상기 금속 페이스트층을 230 ℃ 이하의 낮은 온도에서 소성하여, 상기 금속 페이스트층을 제2 금속 패턴으로 변환시켜, 상기 투명 도전막 상에 상기 제1 및 제2 금속 패턴들을 갖는 금속 전극을 형성한다. 이로써 상기 투명 도전막 및 상기 금속 전극 사이의 접촉 저항이 감소될 수 있으며 동시에 금속 전극 패턴의 종횡비를 증가시켜 금속 전극 패턴의 선저항을 감소시킬 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속 패턴으로 구성된 금속 전극 구조물은 비정질 실리콘 층을 포함하는 실리콘 태양전지의 수광면에 낮은 접촉저항과 선저항을 갖는 금속 전극 패턴 제조에 적용될 수 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/02167(2013.01)
출원번호/일자 1020160120455 (2016.09.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1820600-0000 (2018.01.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허주열 대한민국 서울특별시 강남구
2 김희수 대한민국 서울특별시 광진구
3 조성빈 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0913114-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0007883-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0515803-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0929004-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0929024-64
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0022292-91
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
제1형 도펀트로 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층 상에 투명 도전막을 형성하는 단계; 상기 투명 도전막 상에 금속 나노 잉크를 이용하는 잉크젯 인쇄 공정을 통하여 제1 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 금속 패턴을 덮도록, 도전성 페이스트를 이용한 금속 페이스트층을 형성하는 단계; 및상기 금속 페이스트층을 소성하여, 상기 금속 페이스트층을 제2 금속 패턴으로 변환시켜, 상기 투명 도전막 상에 상기 제1 및 제2 금속 패턴들을 갖는 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 도전성 페이스트는, 금속 분말, 도전성 폴리머 및 유기 용매를 포함하고,상기 금속 페이스트층을 소성하는 공정은 230℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 잉크젯 인쇄 공정은, 상기 투명 도전막 상에 금속 나노 잉크를 도포하여 나노 잉크층을 형성하는 단계; 및상기 나노 잉크층으로부터 유기 용제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 페이스트층은 상기 제1 금속 패턴의 측면 및 상면을 전체적으로 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 형성 방법
5 5
삭제
6 6
결정질 실리콘 기판에 비정질 실리콘 반도체층을 증착하여 p-n 접합을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘 반도체층 상에 투명 도전막을 형성하는 단계;상기 투명 도전막 상에 금속 나노 잉크를 이용하는 잉크젯 인쇄 공정을 통하여 제1 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 금속 패턴을 덮도록, 도전성 페이스트를 이용한 금속 페이스트층을 형성하는 단계; 및상기 금속 페이스트층을 소성하여, 상기 금속 페이스트층을 제2 금속 패턴으로 변환시켜, 상기 투명 도전막 상에 상기 제1 및 제2 금속 패턴들을 갖는 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 도전성 페이스트는, 금속 분말, 도전성 폴리머 및 유기 용매를 포함하고,상기 금속 페이스트층을 소성하는 공정은 230℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 잉크젯 인쇄 공정은, 상기 투명 도전막 상에 금속 나노 잉크를 도포하여 나노 잉크층을 형성하는 단계; 및상기 나노 잉크층으로부터 유기 용제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
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9 9
삭제
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1 US20180138333 US 미국 FAMILY
2 US20190198707 US 미국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교산학협력단 에너지기술개발사업 면적 100cm2급 초고효율(＞26%) 실리콘 웨이퍼 기반 태양전지 기술개발