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다층 감응막 구조를 이용한 벤젠 가스 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019023422
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 반도체형 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 팔라듐(Pd)이 첨가된 산화주석(SnO2) 난황구조 미분말(Pd-loaded SnO2 yolk shell spheres)로 이루어진 가스 감응층 상에 산화코발트(Co3O4), 산화크롬(Cr2O3), 산화망간(MnO2), 산화바나듐(V2O5) 중에서 선택되는 1종 이상의 촉매층을 형성함으로써 인체에 악영향을 주는 실내 환경 가스인 벤젠을 고감도, 고선택적으로 검지할 수 있는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01) G01N 27/414 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4075(2013.01) G01N 27/4075(2013.01)
출원번호/일자 1020160155104 (2016.11.21)
출원인 고려대학교 산학협력단, 주식회사 티엠씨
등록번호/일자 10-1813226-0000 (2017.12.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 티엠씨 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종흔 대한민국 서울특별시 강남구
2 정성용 대한민국 전라북도 익산시 성당면
3 김태형 대한민국 인천광역시 서구
4 윤지욱 대한민국 서울특별시 노원구
5 안공훈 대한민국 서울특별시 강남구
6 정귀수 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
2 주식회사 티엠씨 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1135588-24
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-1194416-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0038505-12
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0836738-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
가스 감응층이 팔라듐(Pd)이 첨가된 산화주석(SnO2) 난황구조 미분말(Pd-loaded SnO2 yolk shell spheres)로 이루어지고,상기 가스 감응층 상에 산화코발트(Co3O4), 산화크롬(Cr2O3), 산화망간(MnO2), 산화바나듐(V2O5) 중에서 선택되는 1종 이상의 촉매층이 형성된 것을 특징으로 하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서
2 2
제1항에 있어서,상기 촉매층의 두께는 10-150 nm인 것을 특징으로 하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 촉매층은 전자빔 증착(electron beam evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 원자층 증착(atomic layer deposition)을 통해 형성된 것을 특징으로 하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서
4 4
제1항에 있어서,상기 팔라듐의 첨가량이 0 wt% 보다 크고 3 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서
5 5
팔라듐(Pd)이 첨가된 산화주석(SnO2) 난황구조 미분말(Pd-loaded SnO2 yolk shell spheres)을 형성하는 단계;상기 미분말로 가스 감응층을 형성하는 단계; 및상기 가스 감응층 상에 산화코발트(Co3O4), 산화크롬(Cr2O3), 산화망간(MnO2), 산화바나듐(V2O5) 중에서 선택되는 1종 이상의 촉매층을 증착하는 단계;를 포함하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 촉매층의 두께는 10-150 nm인 것을 특징으로 하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 촉매층은 전자빔 증착(electron beam evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 원자층 증착(atomic layer deposition)을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 미분말을 형성하는 단계는주석 전구체, 수크로오스(sucrose), 과산화수소수 및 팔라듐 전구체를 혼합하여 분무 용액을 준비하는 단계; 및상기 분무 용액을 이용해 단일 공정 초음파 분무열분해를 진행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 벤젠 가스 감지용 가스 센서의 제조 방법
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