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태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019023466
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 태양전지는 제1 기판 및 보조 전극을 포함하는 카운터 전극(counter electrode); 상기 카운터 전극 상에 형성된 정공 전달층; 상기 정공 전달층 상에 형성되고, 정공과 전자의 재결합을 방지하는 패시베이션층; 상기 정공 전달층과 상기 패시베이션층에 아일랜드 형태로 형성된 복수개의 광흡수체; 상기 패시베이션층과 상기 광흡수체 상에 형성된 전자 전달층; 및 상기 전자 전달층 상에 형성된 제2 기판;을 포함하는것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/042 (2014.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170026709 (2017.02.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1809869-0000 (2017.12.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상혁 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 허진혁 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0207326-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2017.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0613155-69
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0126377-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0599926-71
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1056373-74
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1056397-69
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0815644-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
전극으로 사용되는 제1 기판 및 고분자 물질로 형성되는 보조 전극을 포함하는 카운터 전극(counter electrode); 상기 카운터 전극 상에 형성된 정공 전달층;상기 정공 전달층 상에 형성되고, 정공과 전자의 재결합을 방지하는 패시베이션층;상기 정공 전달층과 상기 패시베이션층에 아일랜드 형태로 형성된 복수개의 광흡수체;상기 패시베이션층과 상기 광흡수체 상에 형성된 전자 전달층; 및 상기 전자 전달층 상에 형성된 제2 기판;을 포함하고,상기 패시베이션층은 상기 광흡수체가 형성되지 않은 상기 정공 전달층 상에만 형성되고,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판으로 인해 샌드위치 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 광흡수체는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 광흡수체는 하기 화학식 1으로 표시되는 페로브스카이트 화합물인 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 광흡수체는 하기 화학식 2으로 표시되는 페로브스카이트 화합물인 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 광흡수체는 하기 화학식 3로 표시되는 페로브스카이트 화합물인 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 광흡수체는 하기 화학식 4로 표시되는 페로브스카이트 화합물인 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 패시베이션층은 폴리스티렌(polystyrene), P2VP(poly(2-vinylryridine)), P4VP (poly(4-vinylpyrdine)), PMMA(poly(methyl methacrylate)), 폴리악타이드(polyactide) 및 폴리부타디엔(polybutadiene)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 안티몬 틴 옥사이드(ATO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO), 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(GZO), 은 나노 입자, 은 나노 와이어 및 탄소 나노 튜브(CNT)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제1항에 있어서,상기 전자 전달층은 티타늄디옥사이드(TiO2), 징크옥사이드(ZnO) 및 알루미늄 도핑된 징크옥사이드(Al-doped ZnO), 틴다이옥사이드(SnO2), 또는 세슘 카보네이트(Cs2CO3)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 정공 전달층은 PTAA(poly(triarylamine)), spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), P3HT(poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octylthiophene)), P3DT(poly(3-decylthiophene)), P3DDT(poly(3-dodecylthiophene)), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), PCPDTBT(poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)]]), Si-PCPDTBT(poly[(4,4'-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′',3'-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl)benzo([1,2-b:4,5-b']dithiophene)-2,6-diyl)-alt-((5-octylthieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione)-1,3-diyl)), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7,-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-
11 11
제1항에 있어서, 상기 보조 전극은 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)) 또는 아닐린(aniline) 계 물질인 것은 특징으로 하는 태양전지
12 12
전극으로 사용되는 제1 기판 상에 고분자 물질로 형성되는 보조 전극을 형성하여, 상기 제1 기판 및 상기 보조 전극을 포함하는 카운터 전극을 형성하는 단계;제2 기판 상에 전자 전달층을 형성하는 단계;상기 전자 전달층 상에 아일랜드 형태를 갖는 복수개의 광흡수체를 형성하는 단계;상기 전자 전달층 상에 정공과 전자의 재결합을 방지하는 패시베이션층 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 광흡수체 및 상기 패시베이션층 상에 정공 전달층을 형성하는 단계; 및상기 정공 전달층 상에 상기 카운터 전극을 부착하는 단계를 포함하고,상기 패시베이션층은 상기 광흡수체가 형성되지 않은 상기 정공 전달층 상에만 형성되고,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판으로 인해 샌드위치 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 광흡수체는 스핀 코팅으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 패시베이션층은 스핀 코팅으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 경희대학교 산학협력단 선도연구센터지원사업 결정 기능화 공정기술 센터
2 한국연구재단 (학술진흥) 경희대학교 산학협력단 기후 변화대응 기술 개발 사업 고효율 무연 페로브스카이트형 태양전지 기술개발
3 산업통상자원부 한국화학연구원 에너지기술개발사업 고효율(16% 이상) 대면적 (15 cm x 15 cm) 인쇄공정 기반 페로브스카이트 태양전지 모듈 제조 기술 개발