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정적 램의 수율 예측 방법

  • 기술번호 : KST2019023467
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 정적 램의 수율 예측 방법은 예측 대상이 되는 정적 램에 대한 어시스트 동작 구간에서의 DC 전압 입력 조건에 따라 제 1 교란 벡터를 생성하는 단계; 제 1 교란 벡터를 기초로 제 1 마진을 산출하는 단계; DC 전압 입력 조건에 따라 어시스트 동작 구간만큼 AC 시뮬레이션을 수행하는 단계; AC 시뮬레이션의 종료에 따라 설정된 정상 동작 구간에서의 DC 전압 입력 조건에 따라 제 2 교란 벡터를 생성하는 단계; 제 2 교란 벡터를 기초로 제 2 마진을 산출하는 단계; 및 제 1 마진과 제 2 마진 중 최소 마진을 선택하고, 선택된 마진에 기초하여 정적 램의 수율을 예측하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 29/50 (2006.01.01) G11C 11/41 (2006.01.01)
CPC G11C 29/50(2013.01) G11C 29/50(2013.01) G11C 29/50(2013.01) G11C 29/50(2013.01)
출원번호/일자 1020170025989 (2017.02.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1872823-0000 (2018.06.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종선 대한민국 서울특별시 서초구
2 최웅 대한민국 경기도 부천시 소사로***번길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0202562-10
2 공지예외적용주장 증명서류 제출기한 안내문
2017.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0029780-80
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2017.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0227192-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0041010-23
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0236334-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0236335-27
7 등록결정서
Decision to grant
2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0418753-69
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1253192-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
정적 램의 수율 예측 방법에 있어서,예측 대상이 되는 정적 램에 대한 어시스트 동작 구간에서의 DC 전압 입력 조건에 따라 제 1 교란 벡터를 생성하는 단계;상기 제 1 교란 벡터를 기초로 제 1 마진을 산출하는 단계;상기 DC 전압 입력 조건에 따라 상기 어시스트 동작 구간만큼 AC 시뮬레이션을 수행하는 단계;상기 AC 시뮬레이션의 종료에 따라 설정된 정상 동작 구간에서의 DC 전압 입력 조건에 따라 제 2 교란 벡터를 생성하는 단계;상기 제 2 교란 벡터를 기초로 제 2 마진을 산출하는 단계; 및상기 제 1 마진과 제 2 마진 중 최소 마진을 선택하고, 선택된 마진에 기초하여 상기 정적 램의 수율을 예측하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 교란 벡터를 생성하는 단계 또는 제 2 교란 벡터를 생성하는 단계는 N 커브 메트릭에 기반하여 도출되는 최대전류 또는 최소 전류를 구분적 선형 근사법에 따라 소정의 구간으로 구분하고, 각 구간 단위로 교란 벡터를 산출하는 것이고,상기 각 구간 단위로 자연 벡터(natural vector) 및 최고 가능 벡터(most probable vector)를 산출하고, 이를 미리 설정한 가중치를 통해 합산한 하이브리드 벡터를 상기 교란 벡터로서 산출하는 것인 정적 램의 수율 예측 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 마진 또는 제 2 마진은 각각 접근 방해 마진(access disturb margin)과 쓰기 마진(write margin)을 포함하는 정적 램의 수율 예측 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
정적 램의 수율 예측 방법에 있어서,N 커브 메트릭에 기반하여 도출되는 최대전류 또는 최소 전류를 구분적 선형 근사법에 따라 소정의 구간으로 구분하고, 각 구간 단위로 교란 벡터를 산출하는 단계;상기 교란 벡터를 기초로 접근 방해 마진(access disturb margin) 또는 쓰기 마진(write margin)을 산출하는 단계; 및상기 접근 방해 마진 또는 쓰기 마진에 기초하여 상기 정적 램의 수율을 예측하는 단계를 포함하되, 상기 각 구간 단위로 자연 벡터(natural vector) 및 최고 가능 벡터(most probable vector)를 산출하고, 이를 미리 설정한 가중치를 통해 합산한 하이브리드 벡터를 상기 교란 벡터로서 산출하는 것인 정적 램의 수율 예측 방법
6 6
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10811117 US 미국 FAMILY
2 US20180247698 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2018247698 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발(R&D) 스마트 센서 SoC용 초저전압 회로 및 IP 설계 기술 개발
2 과학기술정보통신부 고려대학교 미래소재디스커버리지원(R&D) 설계기반 Spin-Orbitronics 소재 개발
3 과학기술정보통신부 고려대학교 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 사물인터넷용 저면적/저전력 전용 프로세서 설계를 위한 맞춤형 임베디드 메모리 개발