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하기 [화학식 1ES]로 표시되는 술폰산기를 도입한 다공성 유기 고분자 기반 골격체:[화학식 1ES][C11H6
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제1항에 있어서,상기 다공성 유기 고분자 기반 골격체는 90% 상대습도 하에서 30 ℃ 내지 80 ℃ 온도범위에서 양성자 전도도가 9
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제2항에 있어서,상기 다공성 유기 고분자 기반 골격체는 90% 상대습도 하에서 80 ℃ 온도에서 양성자 전도도가 1
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하기 [화학식 1E]로 표시되는 화합물을 유기용매 하에서 술폰산을 첨가하여 반응시키는 단계를 포함하는, 하기 [화학식 1ES]로 표시되는 술폰산기를 도입한 다공성 유기 고분자 기반 골격체의 제조방법:[화학식 1ES][C11H6
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제4항에 있어서,상기 [화학식 1E]로 표시되는 화합물이 마이크로파-보조 용매열 반응에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 술폰산기를 도입한 다공성 유기 고분자 기반 골격체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 마이크로파-보조 용매열 반응이 마이크로파 반응기에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 술폰산기를 도입한 다공성 유기 고분자 기반 골격체의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 유기용매는 메틸렌 클로라이드이며, 상기 술폰산은 클로로술폰산인 것을 특징으로 하는, 술폰산기를 도입한 다공성 유기 고분자 기반 골격체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 마이크로파의 출력은 50 내지 300 W인 것을 특징으로 하는, 술폰산기를 도입한 다공성 유기 고분자 기반 골격체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 마이크로파의 압력은 80 내지 200 psi인 것을 특징으로 하는, 술폰산기를 도입한 다공성 유기 고분자 기반 골격체의 제조방법
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