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저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019023499
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자는, 기판, 기판상에 형성된 하부 게이트 영역층, 하부 게이트 영역층상에 형성된 저항 변화 물질층, 저항 변화 물질층상에 형성된 절연 물질층, 절연 물질층 상에 형성된 활성 영역층, 및 절연 물질층상에서 활성 영역층과 접하며 서로 분리되도록 소스 영역과 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 종래의 박막 트랜지스터 구조에 ReRAM의 동작 메카니즘을 적용하기 때문에, 종래의 TFT 공정을 이용하면서도 종래 비휘발성 메모리 소자의 요구조건인 낮은 전력 소모, 빠른 동작속도, 신뢰성 측면을 개선할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1206(2013.01) H01L 45/1206(2013.01) H01L 45/1206(2013.01)
출원번호/일자 1020170053549 (2017.04.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1946347-0000 (2019.01.31)
공개번호/일자 10-2018-0119881 (2018.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20190211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.26)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박주현 대한민국 경기도 포천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0408406-71
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0180176-64
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0441078-41
4 보정요구서
Request for Amendment
2018.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0073774-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0551947-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0551946-69
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0551945-13
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0735475-73
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1166051-14
10 보정요구서
Request for Amendment
2018.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0188087-21
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-1295023-38
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1303873-53
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1303874-09
14 법정기간연장승인서
2018.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0204871-87
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0049916-94
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 하부 게이트 영역층;상기 하부 게이트 영역층상에 형성된 저항 변화 물질층;상기 저항 변화 물질층상에 형성된 절연 물질층;상기 절연 물질층 상에 형성된 활성 영역층; 및 상기 활성 영역층과 접하며 서로 분리되어 형성된 소스 영역과 드레인 영역을 포함하며, 상기 저항 변화 물질층은 개방 상태일 때, 상기 절연 물질층보다 유전율이 작은 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 저항 변화 물질층과 상기 절연 물질층 사이에 형성된 상부 게이트 영역층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자
3 3
청구항 1에 있어서,상기 소스 영역과 상기 드레인 영역은 상기 활성 영역층 상에서 서로 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 소스 영역과 상기 드레인 영역은 상기 절연 물질층 상에서 상기 활성 영역층에 의해 서로 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서,상기 저항 변화 물질층의 두께는 상기 절연 물질층보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자
7 7
청구항 1에 있어서,상기 기판은 투명 재질의 기판인 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자
8 8
기판상에 하부 게이트 영역층을 형성하는 단계;상기 하부 게이트 영역층상에 저항 변화 물질층을 형성하는 단계;상기 저항 변화 물질층상에 절연 물질층을 형성하는 단계;상기 절연 물질층 상에 활성 영역층을 형성하는 단계; 및 상기 활성 영역층과 접하며 서로 분리되어 형성된 소스 영역과 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하며,상기 저항 변화 물질층을 개방 상태일 때, 상기 절연 물질층보다 유전율이 작은 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 저항 변화 물질층 형성 이후 상기 절연 물질층 형성 이전에 상부 게이트 영역층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 제조 방법
10 10
청구항 8에 있어서,상기 소스 영역과 상기 드레인 영역은 상기 활성 영역층 상에서 서로 분리되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 제조 방법
11 11
청구항 8에 있어서,상기 소스 영역과 상기 드레인 영역은 상기 절연 물질층 상에서 상기 활성 영역층에 의해 서로 분리되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 제조 방법
12 12
삭제
13 13
청구항 8에 있어서,상기 저항 변화 물질층의 두께를 상기 절연 물질층보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 제조 방법
14 14
청구항 8에 있어서,상기 기판은 투명 재질의 기판인 것을 특징으로 하는 저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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