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크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019023504
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법은, 하부 전극 형성 단계, 저항 변화 물질층 형성 단계, 포밍 패드층 형성 단계, 필라멘트 성장 단계, 희생 영역 제거 단계, 및 상부 전극 형성 단계를 포함한다. 하부 전극 형성 단계는, 기판 위에 복수 열로 하부 전극들을 형성하고, 저항 변화 물질층 형성 단계는 하부 전극상에 저항 변화 물질층을 형성하고, 포밍 패드층 형성 단계는 저항 변화 물질층상에 미리 설정된 셀 형성 영역에 대응하도록 복수의 돌출부가 하부 전극 방향으로 형성된 포밍 패드층을 형성하고, 필라멘트 성장 단계는 하부 전극들과 포밍 패드층 사이에 포밍 전압을 인가하여 하부 전극들로부터 전도성 필라멘트를 성장시키고, 희생 영역 제거 단계는 하부 전극들 중 일부에서 성장한 전도성 필라멘트가 포밍 패드에 연결되는 경우 하부 전극들에서 각각 성장한 전도성 필라멘트들이 모두 노출되도록 포밍 패드층과 저항 변화 물질층 중 미리 설정된 희생 영역을 제거하며, 상부 전극 형성 단계는 저항 변화 물질층상에 복수의 하부 전극들과 교차하는 방향으로 노출된 전도성 필라멘트들과 연결되는 복수 열의 상부 전극들을 형성한다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020170058287 (2017.05.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1912234-0000 (2018.10.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 전동수 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0445562-97
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0197859-26
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0476528-05
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0476527-59
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0643464-91
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.10.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0976989-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0976988-77
8 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0694687-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 위에 복수 열로 하부 전극들을 형성하는 하부 전극 형성 단계;상기 하부 전극상에 저항 변화 물질층을 형성하는 저항 변화 물질층 형성 단계;상기 저항 변화 물질층상에 미리 설정된 셀 형성 영역에 대응하도록 복수의 돌출부가 상기 하부 전극 방향으로 형성된 포밍 패드층을 형성하는 포밍 패드층 형성 단계;상기 하부 전극들과 상기 포밍 패드층 사이에 포밍 전압을 인가하여 상기 하부 전극들로부터 전도성 필라멘트를 성장시키는 필라멘트 성장 단계;상기 하부 전극들 중 일부에서 성장한 전도성 필라멘트가 상기 셀 형성 영역에 의해 대응되는 상기 복수의 돌출부 중 일부에 연결되는 경우 상기 하부 전극들에서 각각 성장한 전도성 필라멘트들이 모두 노출되도록 상기 포밍 패드층과 상기 저항 변화 물질층 중 미리 설정된 희생 영역을 제거하는 희생 영역 제거 단계; 및상기 저항 변화 물질층상에 상기 복수의 하부 전극들과 교차하는 방향으로 상기 노출된 전도성 필라멘트들과 연결되는 복수 열의 상부 전극들을 형성하는 상부 전극 형성 단계를 포함하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법으로서,상기 저항 변화 물질층 형성 단계는 상기 하부 전극 상에 서로 다른 복수의 물질층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하며,상기 희생 영역 제거 단계는 상기 복수의 물질층 중 일부 물질층을 제거하는 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 저항 변화 물질층은 상기 돌출부가 내부에서 형성되도록 하는 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 저항 변화 물질층은 상기 복수의 하부 전극들이 포함된 하부 전극층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
5 5
청구항 2에 있어서,상기 저항 변화 물질층은 상기 복수의 하부 전극들 상에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 저항 변화 물질층을 둘러싸는 인캡슐레이션부를 형성하는 인캡슐레이션부 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
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청구항 6에 있어서,상기 인캡슐레이션부는 상기 돌출부가 내부에서 형성되도록 하는 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
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