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균일한 전자파 필드를 제공하기 위하여 E 평면(E-plane) 방향으로 확장된 확장 도파관(Expanded waveguide)에 있어서,상기 E 평면 방향으로 확장된 확장영역(Expanded Area);상기 확장영역의 양측에 연결되어 전자파가 통과하는 입력측 및 출력측의 변형영역(Transition Area); 및상기 입력측 및 출력측의 변형영역의 각 단부에 형성되어 전자파가 입력 및 출력되는 출입구를 포함하되,상기 변형영역에는 복수의 다각기둥이 일정 간격을 두고 배치되며,상기 배치된 복수의 다각기둥 사이를 따라 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 채널은 상기 출입구로부터 미리 설정된 레벨만큼 두 갈래로 수 차례 분기된 트리 형태로 형성되되,상기 출입구 측의 상기 채널의 입구로부터 상기 확장영역 측의 상기 채널의 각 출구까지의 모든 경로의 길이가 동일해 지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제2항에 있어서,상기 출입구로 입력된 전자파는 상기 모든 경로를 통과함으로써, 복수로 분기되며, 상기 각 출구에 도착하는 모든 전자파의 도착 시간은 동일한 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제2항에 있어서,상기 다각기둥은 마름모 형태의 단면을 가지는 사각기둥이되,상기 변형영역에 상기 트리 형태의 채널이 형성되도록, 다른 크기의 마름모 형태의 단면을 가지는 복수의 사각기둥이 배치되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제4항에 있어서,상기 다각기둥은 좌우 대칭되도록 상기 마름모에서 대향하는 한 쌍의 모서리 부분이 잘려져 형성된 육각형 단면을 가지는 육각기둥인 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 변형영역은 상기 확장영역과 상기 출입구의 폭 차이에 따라 상기 확장영역에서 상기 출입구로 갈수록 폭이 좁아지는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제6항에 있어서,상기 변형영역은 상기 E 평면 방향의 단면이 삼각형 형상으로 형성되며, 상기 삼각형의 한 꼭지점 부분에 상기 출입구가 형성되고, 상기 한 꼭지점에 대향하는 상기 삼각형의 선분 부분이 상기 확장영역과 연결되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 확장영역에는 반도체 소자가 1차원 배열로 다수 장착되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제8항에 있어서,상기 확장영역에 증폭기 소자가 1차원 배열로 다수 장착되어 증폭기 어레이가 형성함으로써, 1차원 공간 전력 합성 배열 증폭기가 형성되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 채널의 폭은 반 파장(λ/2) 미만인 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 채널의 꺾임 정도는 30도 미만인 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 채널의 출구 간격은 한 파장 미만인 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 채널의 분기부에 위치하는 상기 다각기둥의 모서리 부분이 화살촉 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 채널의 분기 전의 입구가 스텝(Step) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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제1항에 있어서,상기 채널의 분기 전의 입구가 테이퍼(Taper) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 확장 도파관
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