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LED 플립칩

  • 기술번호 : KST2019023570
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 LED 플립칩을 제공한다. 이 LED 플립칩은, 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판; 상기 기판 상에 배치되고 메사 구조를 가지는 n형 GaN층; 상기 n형 반도체층과 정렬된 상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층과 정렬되고 상기 활성층 상에 배치된 p형 GaN층; 투명 전도성 산화물로 구성되고 상기 p형 GaN층과 정렬되고 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층; 가시광선 영역에서 제1 반사도를 가지고 상기 전류 퍼짐층 상에 국부적으로 배치된 p-패드; 상기 p-패드와 동일한 물질로 형성되고 상기 전류 퍼짐층 상에 배치되고 상기 p-패드와 이격되어 배치된 복수의 제1 전류 주입 금속 닷들; 및 상기 제1 반사도 보다 높은 제2 반사도를 가지고 상기 p-패드에 접촉하면서 상기 p-패드를 노출시키고 상기 전류 주입 금속 닷들을 덮도록 연장되어 배치되고 상기 활성층에서 발광된 광을 상기 사파이어 기판 방향으로 반사하는 복수의 p-핑거들;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020170134262 (2017.10.16)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1960611-0000 (2019.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤수정 대구광역시 남구
2 성태연 서울특별시 서초구
3 김대현 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1018183-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.07.24 수리 (Accepted) 9-1-2018-0036173-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0568053-46
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0999657-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0999651-80
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0132632-12
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0149798-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 물질을 성장시키기 위한 기판;상기 기판 상에 배치되고 메사 구조를 가지는 n형 GaN층;상기 n형 GaN층과 정렬된 상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층;상기 활성층과 정렬되고 상기 활성층 상에 배치된 p형 GaN층;투명 전도성 산화물로 구성되고 상기 p형 GaN층과 정렬되고 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층;가시광선 영역에서 제1 반사도를 가지고 상기 전류 퍼짐층 상에 국부적으로 배치된 p-패드;상기 p-패드와 동일한 물질로 형성되고 상기 전류 퍼짐층 상에 배치되고 상기 p-패드와 이격되어 배치된 복수의 제1 전류 주입 금속 닷들; 및상기 제1 반사도 보다 높은 제2 반사도를 가지고 상기 p-패드에 접촉하면서 상기 p-패드를 노출시키고 상기 전류 주입 금속 닷들을 덮도록 연장되어 배치되고 상기 활성층에서 발광된 광을 상기 기판 방향으로 반사하는 복수의 p -핑거들;을 포함하고,상기 n형 GaN층의 상기 메사 구조 상에 국부적으로 배치된 n 패드;상기 n 패드와 동일한 물질로 구성되고 상기 n형 GaN층의 상기 메사 구조 상에 배치되고 상기 n 패드와 이격되어 배치된 복수의 제2 전류 주입 금속 닷들; 및상기 p-핑거들 사이에 배치되고 상기 n 패드를 노출시키고 상기 제2 전류 주입 금속 닷들을 덮도록 배치된 n-핑거;상기 p-패드 및 상기 n 패드를 마주보도록 배치된 서브마운트 기판;상기 p-패드와 상기 n 패드에 각각 전기적으로 접속하도록 서브마운트 기판에 배치된 본딩 패드; 및상기 본딩 패드과 상기 p-패드와 상기 n 패드에 사이에 각각 배치된 접합 범프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 플립칩
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 p-패드는, Ti, Cr, Al, V 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 제1 전류 주입 금속 닷들은 Ti, Cr, Al, V 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 p-핑거는, 은 또는 은 합금인 것을 특징으로 하는 LED 플립칩
4 4
제1 항에 있어서,상기 n 패드는, Ti, Cr, Al, V 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 제2 전류 주입 금속 닷들은 Ti, Cr, Al, V 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 n-핑거는 은 또는 은 합금인 것을 특징으로 하는 LED 플립칩
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,이웃한 제1 전류 주입 금속 닷들 사이의 간격은 상기 p- 핑거의 끝으로 갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는 LED 플립칩
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1 WO2019078460 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 산학협력단 기초연구실사업 극대형화/고신뢰성의 신개념 마이크로/나노 픽셀 디스플레이 기술