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비수용성 전해질을 포함하는 제1전해질 및 제2전해질을 각각 지지하는 제1 및 제2지지부; 상기 제1 및 제2지지부 사이에 마련되며 복수의 기공(stomata)이 형성되는 멤브레인부; 및 상기 제1 및 제2전해질 사이에 전압을 인가하여 전류를 측정하는 전원부; 를 포함하며, 상기 멤브레인부는 빛에 의해 유도 가능한 아조(AZO)계 폴리머에 의해 코팅된 코팅층이 마련되어, 빛에 의해 상기 기공의 지름을 수축 및 팽창시키며, 상기 제1 및 제2전해질의 위치와 마주하는 위치에 상기 제1 및 제2전해질과 대응되는 면적을 가지고 관통된 홀이 형성된 한 쌍의 테프론(Teflon) 구조물의 사이에 상기 멤브레인부에 위치시킨 후, 상기 아조계 폴리머를 포함하는 코팅액을 상기 홀을 통해 상기 멤브레인부로 도포함으로써, 상기 코팅층은 상기 제1 및 제해질과 마주하는 위치에 상기 제1 및 제2전해질과 대응되는 면적을 가지고 상기 빛과 마주하는 상기 멤브레인부의 일면에 적층되어 마련되는 광 활성 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 아조계 폴리머는 4-아미노(amino)-1, 1'-아조벤젠(azobenzene)-3 및 4'-디술폰산 일나트륨 염(disulfonic acid monosodium salt) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 아조(AZO)와 PDDA(Poly diallyldimethylammonium chloride)가 혼합된 복합 재료를 포함하는 광 활성 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 제1지지부는, 이온성 액체가 저장되며, 상기 제1 및 제2지지부의 적층 방향으로 관통되어 상기 제1전해질이 수용되는 제1저장홀이 마련되는 제1저장체; 및상기 제1저장체를 사이에 두고 상기 멤브레인부와 마주하도록 적층되어, 상기 멤브레인부에 대해 상기 제1저장체를 지지시키는 제1지지체; 를 포함하는 광 활성 이온채널장치
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제3항에 있어서, 상기 제2지지부는, 상기 이온성 액체가 저장되며, 상기 제1 및 제2지지부의 적층 방향으로 관통되어 상기 제2전해질이 수용되는 제2저장홀이 마련되는 제2저장체; 및상기 제2저장체를 사이에 두고 상기 멤브레인부와 마주하도록 적층되어, 상기 멤브레인부에 대해 상기 제2저장체를 지지시키는 제2지지체; 를 포함하는 광 활성 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 멤브레인부는 폴리 카보네이트 트랙 에치드(Poly Carbonate Track Etched: PCTE)를 포함하는 광 활성 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 코팅층은 상기 멤브레인부의 적어도 일면에 적어도 1회 이상 상기 아조계 폴리머가 도포되어 건조된 후, 동결 건조(Freeze drying)되어 마련되는 광 활성 이온채널장치
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7
제1항에 있어서, 상기 멤브레인부는 6㎛ 내지 11㎛의 두께를 가지며, 상기 기공의 지름은 10 ㎚ 내지 1 ㎛인 광 활성 이온채널장치
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제1항에 있어서, 상기 아조계 폴리머는 아조(AZO)와 PDDA(Poly diallyldimethylammonium chloride)가 1:3, 1:4
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제1항에 있어서, 상기 아조계 폴리머는 상기 제2지지부와 마주하는 상기 멤브레인부의 일면에 적어도 2회 이상 도포되어 건조된 후, 동결 건조(Freeze drying)되어 상기 코팅층을 형성시키는 광 활성 이온채널장치
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10
비수용성 전해질을 포함하는 제1전해질이 수용된 제1지지부를 마련하는 단계; 복수의 기공을 가지며 아조계 폴리머에 의해 빛이 유입되는 일면이 코팅되어 상기 제1지지부의 상부에 적층되는 멤브레인부를 마련하는 단계; 상기 멤브레인부의 상부에 적층되며, 상기 제1전해질과 마주하도록 상기 비수용성 전해질을 포함하는 제2전해질이 수용된 제2지지부를 마련하는 단계; 및상기 제1 및 제2전해질에 전압을 인가시켜 전류를 측정하는 단계; 를 포함하며, 상기 멤브레인부 마련단계는, 중심에 홀이 형성된 한 쌍의 테프론(Teflon) 구조물의 사이에 상기 멤브레인부에 위치시키는 단계;상기 아조계 폴리머를 포함하는 코팅액이 상기 홀을 통해 상기 멤브레인부에 도포되어 건조되는 단계; 및 상기 코팅액이 도포되어 건조된 상기 멤브레인부를 동결 건조(Freeze drying)시켜 코팅층을 형성시키는 단계;를 포함하되, 상기 한 쌍의 테프론 구조물에 형성된 홀은 상기 제1 및 제2전해질의 위치와 마주하는 위치에 상기 제1 및 제2전해질과 대응되는 면적을 가지고 관통 형성되는 광 활성 이온채널장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제1지지부 마련단계는, 제1지지체를 마련하는 단계; 및상기 제1전해질이 저장된 제1저장체를 상기 제1지지체의 상부에 적층시키는 단계;를 포함하는 광 활성 이온채널장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제2지지부 마련단계는, 상기 멤브레인부의 상부에 상기 제2전해질이 저장된 제2저장체를 적층시키는 단계; 및상기 제2저장체의 상부에 제2지지체를 적층시키는 단계; 를 포함하는 광 활성 이온채널장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 도포 및 건조단계는 적어도 2회 이상 반복되는 광 활성 이온채널장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 멤브레인부는 6㎛ 내지 11㎛의 두께를 가지는 폴리 카보네이트 트랙 에치드(Poly Carbonate Track Etched: PCTE)를 포함하며, 상기 기공의 지름은 10 ㎚ 내지 1 ㎛인 광 활성 이온채널장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 아조계 폴리머는 4-아미노(amino)-1, 1'-아조벤젠(azobenzene)-3 및 4'-디술폰산 일나트륨 염(disulfonic acid monosodium salt) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 아조(AZO)와 PDDA(Poly diallyldimethylammonium chloride)가 1:3, 1:4
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