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기판 상부에 P-type 금속산화물을 포함하는 정공수송층(hole transport layer, HTL)을 형성하는 단계(단계 1);상기 정공수송층(HTL) 상부에 할라이드 유기 또는 무기 박막을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 정공수송층(HTL) 및 상기 할라이드 유기 또는 무기 박막을 반응시켜 상기 정공수송층(HTL) 상부에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계(단계 3);를 포함하고,상기 단계 1의 P-type 금속산화물은 결정질 SnO 또는 GeO인 것을 특징으로 하는, 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell)의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 정공수송층(HTL)은 기판 상부에 형성된 투명전극 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell)의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2를 수행하기 전, 상기 정공수송층(HTL)을 UVO처리하는 것을 특징으로 하는 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell)의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제조방법은 단계 3 이후 상기 페로브스카이트 광흡수층 상부에 전자수송층(ETL) 및 상부 전극을 형성시키는 단계를 더 포함되는 것을 특징으로 하는 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell)의 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 할라이드 유기 또는 무기 박막은 AX(여기서, A는 Rb, Cs, MA, FA, EA 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며, X는 Cl, Br, I 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상임)인 것을 특징으로 하는 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell) 의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 페로브스카이트 광흡수층은 상기 정공수송층(HTL) 및 할라이드 유기 또는 무기 박막을 열처리하는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell) 의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 열처리는 100 내지 150℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell) 의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 정공수송층(HTL) 및 페로브스카이트 광흡수층의 두께는 상기 단계 3의 반응으로 조절되는 것을 특징으로 하는 역구조의 페로브스카이트 태양전지(Inverted perovskite solar cell) 의 제조방법
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