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기판 상에 전도성 나노입자가 함유된 반도체 복합물질을 형성하는 단계;상기 반도체 복합물질을 전기 환원 방법을 이용하여 전기 환원시키는 단계; 및상기 전기 환원을 통해 상기 반도체 복합물질을 나노 다공성 금속 구조체로 합성하는 단계를 포함하고,상기 나노 다공성 금속 구조체로 합성하는 단계는상기 전기 환원을 통해 상기 반도체 복합물질이 환원되어 생성되는 금속이 상기 전도성 나노입자 쪽으로 비등방성(anisotropic)하게 성장되어 나노 구조화됨으로써, 상기 반도체 복합물질을 상기 나노 다공성 금속 구조체로 합성하는 나노 다공성 금속 구조체 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 나노입자는금 나노입자, 구리 나노입자, 은 나노입자, 니켈 나노입자 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 금속 구조체 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체는AuO, AgBr, CuO, NiO 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 금속 구조체 합성 방법
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기판 상에 은 나노입자가 함유된 브로민화 은(AgBr) 복합물질을 형성하는 단계;상기 브로민화 은 복합물질을 전기 환원 방법을 이용하여 전기 환원시키는 단계; 및상기 전기 환원을 통해 상기 브로민화 은 복합물질을 나노 다공성 은 구조체로 합성하는 단계를 포함하고,상기 나노 다공성 은 구조체로 합성하는 단계는상기 전기 환원을 통해 상기 브로민화 은 복합물질이 환원되어 생성되는 은이 상기 은 나노입자 쪽으로 비등방성(anisotropic)하게 성장되어 나노 구조화됨으로써, 상기 브로민화 은 복합물질을 상기 나노 다공성 은 구조체로 합성하는 나노 다공성 은 구조체 합성 방법
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제5항에 있어서,상기 나노 다공성 은 구조체로 합성하는 단계는NaCl 수용액 전해질에서 상기 브로민화 은 복합물질을 전기 환원시킴으로써, 상기 나노 다공성 은 구조체를 합성하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 은 구조체 합성 방법
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